[发明专利]一种单晶LiNbO3

权利要求书

1.一种单晶LiNbO₃薄膜忆阻器的制备方法，包括如下步骤：

步骤1、Ar+刻蚀：

将Pt/Ti/SiO₂衬底上的Z切单晶LiNbO进行Ar+刻蚀，将其Z切单晶LiNbO薄膜的厚度刻蚀至≤200纳米厚度；

步骤2、磁控溅射镀顶电极：

利用磁控溅射技术，在步骤2所得样品的LiNbO表面镀上顶电极，相对的Pt为底部电极；至此单晶LiNbO₃薄膜忆阻器则被制备完成；

所述步骤2磁控溅射镀顶电极前还包括一步管式炉氧气退火：

将步骤1过经过刻蚀后的LiNbO样品进行退火处理；退火气氛为氧气，退火气压0.3-0.6Pa，退火温度≤350℃，退火时长1-24小时。

2.如权利要求1所述单晶LiNbO₃薄膜忆阻器的制备方法，其特征在于：所述步骤2的退火气压0.5Pa，退火温度300℃，退火时长3小时。

3.一种单晶LiNbO₃薄膜忆阻器，采用权利要求1所述单晶LiNbO₃薄膜忆阻器的制备方法制得。