[发明专利]一种校准直流失调的可调增益放大器在审
申请号: | 201911364211.2 | 申请日: | 2019-12-25 |
公开(公告)号: | CN111030623A | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | 李维忠;肖希;王磊;陈代高;张红广;余少华 | 申请(专利权)人: | 武汉邮电科学研究院有限公司;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45 |
代理公司: | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人: | 陈文净 |
地址: | 430074 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 校准 直流 失调 可调 增益 放大器 | ||
1.一种校准直流失调的可调增益放大器,其特征在于,包括:
可调增益放大电路,其包括第一差分支路和第二差分支路,所述第一差分支路连接第一差分输入信号InP,并输出第一差分输出信号OUTP,所述第二差分支路连接第二差分输入信号InN,并输出第二差分输出信号OUTN;
校准电路,其两个输出端分别连接所述第一差分支路的输入端和所述第二差分支路的输入端,所述校准电路用于根据两个失调控制信号对应输出两个差分控制信号,通过两个差分控制信号分别调整所述第一差分支路和第二差分支路的电流,以校准所述第一差分输出信号OUTP和第二差分输出信号OUTN的直流失调。
2.如权利要求1所述的校准直流失调的可调增益放大器,其特征在于:
所述第一差分支路包括晶体管Q1、晶体管Q3、晶体管Q4、电流源Ibias1和电阻R1,所述晶体管Q1的基极与所述第一差分输入信号InP相连,所述晶体管Q1的发射极经过所述电流源Ibias1后接地,所述晶体管Q3和晶体管Q4的发射极与所述晶体管Q1的集电极相连,所述晶体管Q3的集电极经过电阻R1后与电源VCC相连,所述晶体管Q4的集电极与电源VCC相连;
所述第二差分支路包括晶体管Q2、晶体管Q5、晶体管Q6、电流源Ibias2和电阻R2,所述晶体管Q2的基极与所述第二差分输入信号InN相连,所述晶体管Q2的发射极经过所述电流源Ibias2后接地,所述晶体管Q5和晶体管Q6的发射极与所述晶体管Q2的集电极相连,所述晶体管Q6的集电极经过电阻R2后与电源VCC相连,所述晶体管Q5的集电极与电源VCC相连;同时,
所述晶体管Q3的基极与所述晶体管Q6的基极相连,所述晶体管Q4的基极与所述晶体管Q5的基极相连。
3.如权利要求2所述的校准直流失调的可调增益放大器,其特征在于:所述第一差分支路还包括晶体管M1,所述第二差分支路还包括晶体管M2,所述晶体管M1的源极与所述晶体管Q4的集电极相连,所述晶体管M1的栅极和漏极均与电源VCC相连,所述晶体管M2的源极与所述晶体管Q5的集电极相连,所述晶体管M2的栅极和漏极均与电源VCC相连。
4.如权利要求3所述的校准直流失调的可调增益放大器,其特征在于:所述晶体管M1和晶体管M2为NMOS管。
5.如权利要求2所述的校准直流失调的可调增益放大器,其特征在于:所述晶体管Q3的基极连接第一增益控制信号Gain_pos,所述晶体管Q4的基极连接第二增益控制信号Gain_neg。
6.如权利要求1所述的校准直流失调的可调增益放大器,其特征在于:
所述校准电路包括可调电流源Ibias3、晶体管M3、晶体管M4、晶体管M5、晶体管M6、晶体管M7、晶体管M8,所述可调电流源Ibias3一端连接电源VCC,另一端连接所述晶体管M3的漏极和所述晶体管M4的漏极,所述晶体管M3的栅极连接第一失调控制信号DCOC_pos,所述晶体管M3的源极与所述晶体管M5的漏极相连,所述晶体管M4的栅极连接第二失调控制信号DCOC_neg,所述晶体管M4的源极与所述晶体管M6的漏极相连;
且所述晶体管M5和晶体管M7、所述晶体管M6和晶体管M8分别形成两个电流镜结构,所述晶体管M7的漏极与所述第一差分支路的输入端相连,所述晶体管M8的漏极与所述第二差分支路的输入端相连。
7.如权利要求1所述的校准直流失调的可调增益放大器,其特征在于:所述晶体管M5的栅极和晶体管M7的栅极相连,所述晶体管M5的栅极和晶体管M7的源极接地。
8.如权利要求1所述的校准直流失调的可调增益放大器,其特征在于:所述晶体管M6的栅极和晶体管M8的栅极相连,所述晶体管M6的栅极和晶体管M8的源极接地。
9.如权利要求1所述的校准直流失调的可调增益放大器,其特征在于:所述可调电流源Ibias3连接第三增益控制信号Gain_ctrl。
10.如权利要求1所述的校准直流失调的可调增益放大器,其特征在于:所述晶体管M3和晶体管M4为PMOS管,所述晶体管M5、晶体管M6、晶体管M7和晶体管M8为NMOS管。
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