[发明专利]一种激光器芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201911363213.X | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111048990A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 徐真真;张鹏飞;毛明明;李齐柱;周特 | 申请（专利权）人： | 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;H01S5/042 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 213000 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 激光器 芯片 及其 制备 方法 | ||
1.一种激光器芯片，其特征在于，其包括：
第一散热层；
第一电极层，其设置在所述第一散热层上；
第一半导体层，其设置在所述第一电极层背离所述第一散热层的一侧；
有源层，其设置在所述第一半导体层上背离所述第一电极层的一侧；
第二半导体层，其形成于所述有源层上背离所述有源层的一侧；
第二电极层，其设置在所述第二半导体层上背离所述有源层的一侧。
2.根据权利要求1所述一种激光器芯片，其特征在于，所述第一散热层为多层石墨烯结构。
3.根据权利要求1所述一种激光器芯片，其特征在于，所述第一半导体层为N型分布式布拉格反射镜。
4.根据权利要求1所述一种激光器芯片，其特征在于，所述第二半导体层为P型分布式布拉格反射镜。
5.根据权利要求1所述一种激光器芯片，其特征在于，所述激光器芯片还包括电流接触层，所述电流接触层设置在所述第二半导体层背离所述有源层的一侧，且与所述第二电极层连接。
6.根据权利要求1所述一种激光器芯片，其特征在于，所述激光器芯片还包括电子阻挡层，所述电子阻挡层设置在所述有源层的一侧或两侧。
7.一种激光器芯片的制备方法，其特征在于，其包括：
提供一衬底；
在所述衬底上形成第一半导体层；
在所述第一半导体层上背离所述衬底的一侧形成有源层；
在所述有源层背离所述第一半导体层的一侧形成第二半导体层；
在所述第二半导体层上背离所述有源层的一侧形成第二电极层；
去除所述衬底；
在所述第一半导体层上背离所述有源层的一侧形成第一电极层；
在所述第一电极层上背离所述第一半导体层的一侧形成第一散热层，从而获得所述激光器芯片。
8.根据权利要求7所述一种激光器芯片的制备方法，其特征在于，所述第一散热层为多层石墨烯层。
9.根据权利要求7所述一种激光器芯片的制备方法，其特征在于，通过机械研磨法去除所述衬底。
10.根据权利要求7所述一种激光器芯片的制备方法，其特征在于，通过一转移的方法在所述第一电极层上形成所述第一散热层。
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