[发明专利]集成绕组双机械端口电机的内外转子解耦控制方法及系统有效

专利信息
申请号: 201911363154.6 申请日: 2019-12-25
公开(公告)号: CN110932630B 公开(公告)日: 2021-12-17
发明(设计)人: 刘旭;孔武斌;曲荣海;韩寻;李大伟 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H02P21/05 分类号: H02P21/05;H02P21/22;H02P21/14;H02P27/08
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 李智
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 集成 绕组 双机 端口 电机 内外 转子 控制 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种集成绕组双机械端口电机的内外转子解耦控制方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1、基于绕组变极理论,根据双三相电流反馈值经解耦和拓展Park变换获得多极磁场旋转坐标系电流反馈值和少极磁场旋转坐标系电流反馈值;

S2、将少极磁场旋转坐标系电流反馈值与少极磁场旋转坐标系电流给定值作差,经过PI控制获得少极磁场旋转坐标系电压给定值;

S3、根据所述少极磁场旋转坐标系电压给定值和少极磁场旋转坐标系电流反馈值,通过少极磁场转矩预测方法得到外转子须在多极磁场上补偿的多极磁场旋转坐标系电流补偿值;

S4、将所述多极磁场旋转坐标系电流反馈值与多极磁场旋转坐标系电流给定值作差,经过PI控制获得多极磁场旋转坐标系电压给定值;

其中,所述多极磁场旋转坐标系电流给定值由两部分构成,一部分是根据外转子转速PI控制器输出的多极磁场电枢电流给定值和控制策略得到的多极磁场旋转坐标系电流参考值,另一部分为步骤S3所得的多极磁场旋转坐标系电流补偿值;

S5、利用所述多极磁场旋转坐标系电压给定值和少极磁场旋转坐标系电压给定值,经过空间矢量脉宽调制得到多极磁场相开关占空比和少极磁场相开关占空比,据此反解耦出双三相开关占空比作为PWM调制波对驱动脉冲进行调制,从而控制集成绕组双机械端口电机运行;

所述步骤S1包括:

S11、根据双三相电流反馈值ia1、ib1、ic1、ia2、ib2、ic2解耦出多极磁场相电流反馈值iamp,ibmp,icmp和少极磁场相电流反馈值ialp,iblp,iclp

其中m1,m2为多极磁场在第1套和第2套三相绕组上的电流分配系数,m1+m2=1;n1,n2为少极磁场在第1套和第2套三相绕组上的电流分配系数,n1+n2=1;

S12、利用多极磁场相电流反馈值iamp,ibmp,icmp和少极磁场相电流反馈值ialp,iblp,iclp经过拓展Park变换得到多极磁场旋转坐标系电流反馈值idmp,iqmp,i0mp和少极磁场旋转坐标系电流反馈值idlp,iqlp,i0lp

其中θelp表示少极磁场电角度,θemp表示多极磁场电角度;T(θelp)为少极磁场拓展Park变换矩阵,为逆时针旋转,T(θemp)为多极磁场拓展Park变换矩阵,为顺时针旋转;

所述步骤S3包括:

S31、根据少极磁场电流方程进行少极磁场电流预测,由少极磁场旋转坐标系电压给定值和少极磁场旋转坐标系电流反馈值idlp,iqlp得到少极磁场电流微分表达式;

S32、由外转子所受MGM部分转矩与PMSM部分转矩的关系,将少极磁场电流微分表达式转化为多极磁场旋转坐标系电流补偿值微分形式。

2.如权利要求1所述的内外转子解耦控制方法,其特征在于,所述步骤S2中,少极磁场旋转坐标系电流给定值由少极磁场给定转矩按照转矩分配策略得到。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911363154.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top