[发明专利]一种无烧结的氮化铝的静电卡盘在审
| 申请号： | 201911362853.9 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN110957254A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 杨冬野;袁蕾 | 申请（专利权）人： | 苏州芯慧联半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215500 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 烧结 氮化 静电 卡盘 | ||
【权利要求书】：
1.一种无烧结的氮化铝静电卡盘，自下而上依次包括基板（20）、绝缘体（15）、电极（30）及电介质（10）层，其中电介质（10）在不进行烧结工序和粘接工序下通过喷涂牢固结合在电极（30）上。
2.根据权利要求1所述的一种无烧结的氮化铝静电卡盘，其特征在于：上述绝缘体层，通过低温高速喷射涂层法将氮化铝粉末堆积形成。
3.根据权利要求1所述的一种无烧结的氮化铝静电卡盘，其特征在于：
所述基板由铝合金、铜、铜合金或陶瓷构成，通过低温高速喷涂在上述基板上形成绝缘体层；在上述绝缘体层上，从上述绝缘体的外表面上的中心侧到一定间隔隔离的隔离部之间形成电极，通过低温高速喷射将上述电极全体及上述隔离部覆盖生成的电介质层。
4.根据权利要求3所述的一种无烧结的氮化铝静电卡盘，其特征在于：
上述绝缘体层的厚度为0.2～1.5mm、电极的厚度为0.01～1.5mm，电介质层的厚度为0.05～1mm。
5.根据权利要求1所述的一种无烧结的氮化铝静电卡盘，其特征在于：
通过对绝缘体层进行喷涂形成无烧结氮化铝（AlN）电介质层。
6.根据权利要求5所述的一种无烧结的氮化铝静电卡盘，其特征在于：
上述绝缘体层及电介质层，是将氮化铝粉末通过低温高速喷射涂层法堆积形成的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
