[发明专利]一种金属网格结构、触控屏与触控显示屏

说明书

本发明涉及触控技术领域，提供一种金属网格结构、触控屏与触控显示屏，所述金属网格结构，包括：数条金属线交叉形成的金属网格线，所述金属网格线被一条条的断裂线间隔开，形成间隔布列的触控电极通道与Dummy区块，所述触控电极通道连接驱动设备，所述Dummy区块不连接驱动设备，仅具有光学匹配效果。所述触控电极通道包括边缘子触控电极与面内子触控电极。所述边缘子触控电极的外侧部分被BM覆盖，边缘子触控电极被BM覆盖的金属网格线比所述面内子触控电极的金属网格线设计更密集，所述边缘子触控电极的宽度小于所述面内子触控电极的宽度。由于金属网格线的设计作用，使得边缘子触控电极与面内子触控电极能够产生近似的电阻与电容方面的电学性能，不会影响基本触控性能。

技术领域

本发明涉及触控技术领域，尤其涉及触控显示技术领域，具体涉及一种金属网格结构、触控屏与触控显示屏。

背景技术

当前，触控显示技术行业越发重视产品边框的设计，并力图最大可能压缩触控屏的边框(即黑边框)以获得更有市场竞争力的产品。

如图1所示，目前的触控显示屏，包括触控模组1与显示模组2，通过粘结层(未图示)粘结而成，触控模组1的尺寸略大于显示模组2的尺寸，所述触控模组1的边缘被黑色遮挡材料3(BM)覆盖(主要为遮挡边缘金属引线4)，使得触控模组分为显示区与非显示区，非显示区被BM覆盖，显示区未被BM 覆盖的区域。在实际生产中，当前所述触控模组的边缘触控电极5的部分结构一般也会被BM覆盖，以满足触控屏的边缘区域的触控感应效果。此时，并不利于实现触控显示屏的窄边框。

为了实现触控屏窄边框设计，当前大多从以下两方面来实现：1、缩小金属引线的线宽或线距；2、减小或者减少显示区尺寸。但是，金属引线受生产制程能力限制，一般很难进一步优化。传统的OGS触控屏应用铟锡氧化物 (ITO)制作触控电极层，铟锡氧化物(ITO)方块电阻的电阻率通常为几十到几百欧姆不等，因其电阻较大导电性不佳，减小或减少显示区尺寸也难以满足触控驱动IC设计的要求，为触控驱动IC的设计增加更多困难。只能通过减少触控屏的触控电极通道数来实现触控屏的窄边框设计，但是这种设计降低产品的基本触控性能。

针对上述窄边框与触控性能不能同时满足的技术问题，如何同时兼顾两方性能，成为了一个需要攻克的课题。

发明内容

针对上述技术问题，

本发明提供的解决其技术问题的技术方案如下：

本发明提供一种金属网格(Metal-Mesh)结构、采用该金属网格结构的触控屏与触控显示屏。

金属网格技术利用银、铜等金属材料或者氧化物等易于得到且价格低廉的物质作为原材料，可形成导电金属网格图案，制作工艺较铟锡氧化物(ITO) 制作触控电极层简便，所需温度不超过150℃。其理论的最低电阻值可达到0.1 欧姆/平方，而且具有良好的电磁干扰屏蔽效果。

所述金属网格结构，包括：数条金属线交叉形成的金属网格线，所述金属网格线被一条条的断裂线间隔开，形成间隔布列的触控电极通道与Dummy区块，所述触控电极通道连接驱动设备，所述Dummy区块不连接驱动设备，仅具有光学匹配效果。所述触控电极通道包括边缘子触控电极与面内子触控电极。所述边缘子触控电极的外侧部分被BM覆盖，所述被BM覆盖的金属网格线比面内子触控电极的金属网格线设计更密集，所述边缘子触控电极的宽度小于所述面内子触控电极的宽度。由于所述边缘子触控电极的外侧部分金属网格线比面内子触控电极的金属网格线设计更密集，使得边缘子触控电极与面内子触控电极能够产生近似的电阻与电容方面的电学性能，不会影响基本触控性能。

同时，由于边缘子触控电极外缘部分被BM覆盖，边缘子触控电极的未被 BM覆盖的部分与面内子触控电极的金属网格线的设计密度一致，边缘子触控电极的金属网格线与面内子触控电极的金属网格线基本没有视觉差异。同时，由于边缘子触控电极的宽度小于所述面内子触控电极的宽度，需要被BM遮挡的边缘子触控电极的宽度也随之缩减，进而，实现了缩减了非显示区与窄边框效果。