[发明专利]一种像素电极及显示面板在审
| 申请号: | 201911361659.9 | 申请日: | 2019-12-26 |
| 公开(公告)号: | CN111025790A | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
| 发明(设计)人: | 严允晟;曲凯莉 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 吕姝娟 |
| 地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 像素 电极 显示 面板 | ||
本发明提供一种像素电极及显示面板,该像素电极包括:间隔设置的次像素区和主像素区,所述次像素区包括第一子像素区和第二子像素区,所述第一子像素区和所述第二子像素区之间形成一容纳腔室,其中所述主像素区设于所述容纳腔室内。本发明的像素电极及显示面板,能够缩短响应时间和改善视角。
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种像素电极及显示面板。
【背景技术】
如图1和图2所示,现有像素电极通常包括主像素区101和子像素区102,且主像素区101位于子像素区102的上方。在面板驱动过程中,上基板20设置有公共电极21,下基板10设置有外围电极11和像素电极12,以子像素区为例,子像素区102在外围电极11、公共电极21以及像素电极12的电场的共同作用下,液晶分子快速倾倒(主像素区同理)。
然而,随着显示面板尺寸的增大,使得由外向内的距离增大,以子像素区为例,液晶分子受到外围电极11与子像素区102的像素电极之间的电场的作用力减弱,使得位于面板中间区域的液晶分子仅在公共电极21以及像素电极12之间的电场作用下缓慢倾倒(倾倒方向如图2中箭头所示),也即随着产品尺寸的增大,像素的尺寸增大,液晶分子受到公共电极21以及外围电极11之间的电场的作用范围比例缩小,增加了响应时间。比如同一解析度下的55、65、75英寸的显示面板对应的响应时间分别为12ms、14.7ms、15.7ms。
因此,有必要提供一种像素电极及显示面板,以解决现有技术所存在的问题。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种像素电极及显示面板,能够缩短响应时间。
为解决上述技术问题,本发明提供一种像素电极,其包括:
间隔设置的次像素区和主像素区,所述次像素区包括第一子像素区和第二子像素区,所述第一子像素区和所述第二子像素区之间形成一容纳腔室,其中所述主像素区设于所述容纳腔室内。
本发明还提供一种显示面板,其包括上述像素电极。
本发明的像素电极及显示面板,包括间隔设置的次像素区和主像素区,所述次像素区包括第一子像素区和第二子像素区,所述第一子像素区和所述第二子像素区之间形成一容纳腔室,其中所述主像素区设于所述容纳腔室内,由于次像素区位于所述主像素区的两侧,且主像素区以及次像素区存在压差,使得处于中间区域的液晶分子不仅受到上基板的公共电压与像素电极之间的电场作用,还受到主像素区与次像素区之间的电场作用,进而增加了液晶分子的倾倒速度,缩短了响应时间。
【附图说明】
图1为现有像素的俯视图;
图2为图1中沿AA’方向的剖视图;
图3为现有灰阶穿透率关系曲线;
图4为本发明实施例一的像素的俯视图;
图5为本发明实施例一的像素电极的俯视图;
图6为本发明实施例二的像素的第一种俯视图;
图7为本发明实施例二的像素的第二种俯视图;
图8为本发明实施例三的像素的第一种俯视图;
图9为本发明实施例三的像素的第二种俯视图;
图10为本发明实施例三的像素的第三种俯视图;
图11为本发明实施例三的主像素区的俯视图;
图12为本发明的灰阶穿透率关系曲线;
图13为在显示低灰阶时,本发明的像素电极与现有的像素电极在不同位置的穿透度曲线;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL华星光电技术有限公司,未经TCL华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911361659.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





