[发明专利]CMOS图像传感器的制造方法及CMOS图像传感器

权利要求书

1.一种CMOS图像传感器的制造方法，所述CMOS图像传感器具有像素区，其特征在于，所述CMOS图像传感器的制造方法包括：

提供一衬底，其中，所述像素区中所述衬底上形成有栅氧化层和位于所述栅氧化层上的多晶硅栅极，所述多晶硅栅极和所述栅氧化层的交界处形成有氧空位；

形成掩膜层，所述掩膜层覆盖所述多晶硅栅极和所述栅氧化层；

对所述多晶硅栅极进行P型离子注入；以及，

对所述多晶硅栅极进行氟离子注入以使所述氟离子占据所述氧空位，并去除所述掩膜层。

2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，在对所述多晶硅栅极进行氟离子注入以占据所述多晶硅栅极和所述栅氧化层的交界处的氧空位中，所述氟离子的注入剂量介于1E12atoms/cm²～1E13atoms/cm²；注入能量介于50kev～80kev。

3.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，对所述多晶硅栅极进行P型离子注入中，所述P型离子为硼离子，所述硼离子的注入剂量介于1E15atoms/cm²～5E16atoms/cm²，注入能量介于5K eV至50K eV。

4.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述掩膜层为光刻胶层或者氮化硅层。

5.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述掩膜层的厚度介于

6.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，通过化学气相沉积工艺形成所述栅氧化层。

7.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述栅氧化层的厚度介于所述栅氧化层的材质为二氧化硅。

8.一种CMOS图像传感器，所述CMOS图像传感器具有像素区，其特征在于，所述CMOS图像传感器包括：衬底、覆盖所述像素区中衬底的栅氧化层以及位于所述栅氧化层上的多晶硅栅极，所述多晶硅栅极和所述栅氧化层的交界处形成有氧空位，其中，所述多晶硅栅极中注入有P型离子和氟离子，所述氟离子占据所述氧空位。

9.根据权利要求8所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述多晶硅栅极中的所述氟离子的注入剂量介于1E12atoms/cm²～1E13atoms/cm²；注入能量介于50kev～80kev。

10.根据权利要求8所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述多晶硅栅极中的所述P型离子为硼离子，所述硼离子的注入剂量介于1E15atoms/cm²～5E16atoms/cm²，注入能量介于5K eV至50K eV。