[发明专利]缺陷监控方法

说明书

本发明提供了一种缺陷监控方法，包括：对产品进行图形扫描，检索出存在不满足三个芯片的行的晶圆；将晶圆上的所有芯片分为两个区域，第一区域包含晶圆外围的芯片，第二区域包含内部的芯片；依次将第一个区域每一个芯片与前面相邻的一个芯片一一进行对比；将第二区域的芯片分别与其前后两个芯片进行对比，得到两个区域的芯片的对比数据。在本发明提供的缺陷监控方法中，采用本发明的任何一种缺陷监控方法，都可以对一行的芯片数量小于三个的芯片进行检测即可以对晶圆上的所有芯片都进行扫描检测，提高了晶圆成品良率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种缺陷监控方法。

背景技术

面对日渐成熟的半导体行业，提高产品的良率成为核心竞争力的一大要素。如何在生产线作业的每一步良率检测中，通过缺陷扫描机台来实时有效地抓取到缺陷，以管控工艺过程中出现的不足，防止更大的利润损失，变得至关重要。

目前已有的扫描缺陷机台是通过芯片(Die)与此芯片的左右两个芯片之间对比来抓取缺陷，因此扫描每一行至少有三个芯片才能使得扫描的正常进行，而低于两个芯片的行，无法使用现有技术进行扫描，因此增加了晶圆成品良率下降(Wafer Low Yield)风险。

发明内容

本发明的目的在于提供一种缺陷监控方法，可以检测晶圆上所有芯片的缺陷。提高晶圆成品良率。

为了达到上述目的，本发明提供了一种缺陷监控方法，包括：

对产品进行图形扫描，检索出存在不满足三个芯片的行的晶圆；

统计晶圆上的芯片总数，并对每一个芯片进行编号；

每一个芯片与前面一个芯片对比；

获得最终对比的数据。

可选的，在所述的缺陷监控方法中，所述晶圆分为多个芯片，所述芯片为多行多列的形式存在，呈阵列的形式布局在所述晶圆上。

可选的，在所述的缺陷监控方法中，所述编号的方法为：以第一行的第一个芯片开始，顺时针进行编号，依次对每一行的芯片进行编号。

本发明还提供了一种缺陷监控方法，包括：

对产品进行图形扫描，检索出存在不满足三个芯片的行的晶圆；

将晶圆上的所有芯片分为两个区域，第一区域包含晶圆外围的芯片，第二区域包含内部的芯片；

依次将第一个区域每一个芯片与前面相邻的一个芯片一一进行对比；

将第二区域的芯片分别与其前后两个芯片进行对比，得到两个区域的芯片的对比数据。

可选的，在所述的缺陷监控方法中，所述第一区域和所述第二区域的划分方法为：任一行或任一列的任一芯片是最外侧的芯片，则所在的这一行或这一列归类为所述第一区域，剩余的所述芯片归类为第二区域。

可选的，在所述的缺陷监控方法中，依次将第一个区域每一个芯片与前面相邻的一个芯片一一进行对比的方法包括：将第一区域的芯片以第一行开始逐行将每个芯片命名，依次将每一个芯片与其前面一个相邻的芯片进行对比。

本发明还提供了一种缺陷监控方法，包括：

对产品进行图形扫描，检索出存在不满足三个芯片的行的晶圆；

将晶圆晶划分为多个格子区域，对每一个格子内的芯片与同一个格子内的所述芯片的前面的芯片进行对比，获得多个格子的对比数据。

可选的，在所述的缺陷监控方法中，所述格子划分方法，参照图形掩模板将整个晶圆划分为多个格子区域。

可选的，在所述的缺陷监控方法中，每个格子包含一个或多个芯片。