[发明专利]热管、电子设备及加工工艺

权利要求书

1.一种热管，其特征在于，所述热管包括第一平板和第二平板；

所述第一平板的第一表面设置有第一沟槽，所述第一沟槽内设置有拓扑流体二极管，且所述第一沟槽围绕所述第一平板的中心设置，所述拓扑流体二极管背离所述第一平板的中心；

所述第二平板的第一表面设置有第二沟槽，所述第二沟槽内设置有拓扑流体二极管，且所述第二沟槽围绕所述第二平板的中心设置，所述拓扑流体二极管指向所述第二平板的中心；

所述第一平板与所述第二平板键合连接，其中，所述第一沟槽与所述第二沟槽相对，所述第一沟槽和所述第二沟槽内填充有流体。

2.根据权利要求1所述的热管，其特征在于，

所述拓扑流体二极管包括侧流道和夹在所述侧流道中间的岛状凸台；

所述岛状凸台上开设有凹槽，所述凹槽包括凹角部和开口部，其中，所述侧流道和所述凹槽均用于容纳所述流体。

3.根据权利要求2所述的热管，其特征在于，

所述岛状凸台为U形凸台，所述凹槽为U形槽。

4.根据权利要求1所述的热管，其特征在于，

所述第一平板和所述第二平板均为硅平板。

5.根据权利要求4所述的热管，其特征在于，

所述热管还包括第一铜板和第二铜板，所述第一铜板与所述第一平板的第二表面固定连接，所述第二铜板与所述第二平板的第二表面固定连接；其中，所述第二表面与所述第一表面相对。

6.根据权利要求1至5任一项所述的热管，其特征在于，

所述第一沟槽和所述第二沟槽的宽度均不超过50μm。

7.根据权利要求1至5任一项所述的热管，其特征在于，

所述第一平板和所述第二平板的厚度均不超过500μm。

8.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括发热器件和如权利要求1至7任一项所述的热管；

所述发热器件设置于所述热管的中心区域的下方，且与所述热管远离所述第一平板的一侧接触。

9.根据权利要求8所述的电子设备，其特征在于，所述发热器件与所述热管之间设置有散热介质。

10.一种热管加工工艺，其特征在于，加工形成如权利要求1至7任一项所述的热管，所述工艺包括：

在第一平板的第一表面和第二平板的第一表面分别蚀刻出沟槽，所述第一平板上的沟槽围绕所述第一平板的中心设置，所述第二平板上的沟槽围绕所述第二平板的中心设置；

在所述沟槽内蚀刻出拓扑流体二极管，所述第一平板上的所述拓扑流体二极管背离所述第一平板的中心，所述第二平板上的所述拓扑流体二极管指向所述第二平板的中心；

将所述第一平板和所述第二平板蚀刻有所述拓扑流体二极管的两个表面相对键合，以使两个平板贴合；

对完成贴合的热管注水并抽真空封装。

11.根据权利要求10所述的加工工艺，其特征在于，所述在第一平板的第一表面和第二平板的第一表面分别蚀刻出沟槽，包括：

对于所述第一平板和所述第二平板均进行氧化处理形成氧化层；

在所述氧化层上旋涂光刻胶，进行光刻后去胶；

对去胶后的第一平板蚀刻形成所述第一沟槽，对去胶后的第二平板蚀刻形成所述第二沟槽，并去除所述氧化层。

12.根据权利要求10所述的加工工艺，其特征在于，所述在所述沟槽内蚀刻出拓扑流体二极管，包括：

在所述沟槽内沉积形成光刻胶保护膜；

通过深反应离子刻蚀各向异性蚀刻形成侧流道，并去胶处理；

采取热氧化法在所述沟槽内沉积氧化层，并光刻出预设的凹槽图案；

通过反应性离子蚀刻去除所述凹槽图案区域的氧化层；

利用二氟化氙进行各向同性蚀刻形成所述凹槽的凹角部及开口部；

对蚀刻形成的拓扑流体二极管进行湿法清洗。