[发明专利]一种调节高K金属栅CMOS器件阈值的方法和CMOS器件

权利要求书

1.一种调节高K金属栅CMOS器件阈值的方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括NMOS区域和PMOS区域，所述NMOS区域包含第一鳍片和第二鳍片，所述PMOS区域包含第三鳍片和第四鳍片；

依次沉积第一、第二阻挡层和第一功函数层，第一阻挡层和第二阻挡层所用材料不同，第一功函数层材料与第二阻挡层材料不同；

去除所述NMOS区域上的第一功函数层；

在所述NMOS区域上进行处理，去除所述第一鳍片或所述第二鳍片上的所述第二阻挡层；

沉积第二功函数层、第三功函数层，第二功函数层和第三功函数层所用材料不同；

在所述PMOS区域上进行处理，去除所述第三鳍片或所述第四鳍片上的所述第三功函数层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述NMOS区域上进行处理和所述在所述PMOS区域上进行处理的方法，包括以下任意一种或多种的组合：干法腐蚀、湿法腐蚀、灰化或剥离。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一阻挡层、第二阻挡层材料不相同，且分别包含以下材料中的一种：TiN、TaN、TiNSi。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二功函数层、第三功函数层材料不相同，且分别包含以下材料中的一种：Al、TiAl、TiAlCx、TiCx。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一功函数层包含以下材料中的至少一种或多种的组合：TiN、TaN、TiNx、TaNx、TiNSi。

6.一种CMOS器件，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括NMOS区域和PMOS区域，所述NMOS区域包含第一鳍片和第二鳍片，所述PMOS区域包含第三鳍片和第四鳍片；

第一阻挡层，位于所述NMOS区域和PMOS区域上；

第二阻挡层，仅位于所述NMOS区域的第一鳍片区域上和PMOS区域第一阻挡层上，第一阻挡层和第二阻挡层所用材料不同；

第一功函数层，所述第一功函数层位于所述PMOS区域的所述第二阻挡层上，第一功函数层材料与第二阻挡层材料不同；

第二功函数层，所述第二功函数层位于所述NMOS区域的所述第一阻挡层、第二阻挡层和所述PMOS区域的所述第一功函数层上；

第三功函数层，所述第二功函数层仅位于所述NMOS区域的所述第二功函数层和所述PMOS区域的第三鳍片区域第二功函数层上，第二功函数层和第三功函数层所用材料不同。

7.如权利要求6所述的CMOS器件，其特征在于，所述第一阻挡层、第二阻挡层材料不相同，且分别包含以下材料中的一种：TiN、TaN、TiNSi。

8.如权利要求6所述的CMOS器件，其特征在于，所述第二功函数层、第三功函数层材料不相同，且分别包含以下材料中的一种：Al、TiAl、TiAlCx、TiCx；所述第一功函数层包含以下材料中的至少一种或多种的组合：TiN、TaN、TiNx、TaNx、TiNSi。