[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板有效
申请号: | 201911357066.5 | 申请日: | 2019-12-25 |
公开(公告)号: | CN111129036B | 公开(公告)日: | 2022-07-26 |
发明(设计)人: | 朱清永 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1333;G02F1/1345;G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 吕姝娟 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
本申请公开了一种阵列基板及制备方法、显示面板,所述阵列基板包括:衬底,具有第一区域、第二区域以及第三区域;第一金属层,包括设置于衬底的第一区域的第一金属构件和设置于衬底的第三区域的第二金属构件;第一绝缘层,覆盖第一金属层及衬底,且第一绝缘层在对应第三区域处设置有通孔;导电层,包括设置于第一区域和第二区域的第一导电部和设置于第三区域的第二导电部,至少部分第二导电部通过通孔与第二金属构件连接;第二金属层,包括设置于第一区域的第三金属构件和设置于第三区域的第四金属构件,第四金属构件与第二导电部连接,以降低第一金属层与第二金属层之间的接触阻抗,改善显示面板易出现渐变线的问题,提高显示面板的显示品质。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
在显示面板的制备过程中,阵列基板的第二金属层、保护层、像素电极层总共需三张曝光掩膜板,通过三次曝光、显影等工艺做成,制作工艺复杂、成本高。此外,为实现窄边框设计,显示面板多采用栅极驱动电路(Gate on Array,GOA)制备于阵列基板上的结构,因此会在阵列基板上形成栅极驱动电路。请参阅图1,其为现有的显示面板的栅极驱动电路的结构示意图,第一金属层101与第二金属层102通过导电层103实现表面搭接,具体地,所述导电层103通过栅极绝缘层104上的过孔及保护层105上的过孔实现所述第一金属层101与所述第二金属层102的电连接,所述第一金属层101与所述第二金属层102之间会存在较大的转接接触阻抗,且所述导电层103在负电压下易发生腐蚀,造成所述第一金属层101与所述第二金属层102搭接不良,导致所述显示面板出现渐变线、画面显示异常的问题。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板,可以降低栅极驱动电路的接触阻抗,改善显示面板显示时易出现渐变线的问题,提高显示品质,且减少阵列基板制备过程中所需的光罩数目。
本申请实施例提供一种阵列基板,所述阵列基板包括:
衬底,所述衬底具有第一区域、第二区域以及第三区域,所述第二区域位于所述第一区域和所述第三区域之间;
第一金属层,所述第一金属层包括设置于所述衬底的所述第一区域的第一金属构件和设置于所述衬底的所述第三区域的第二金属构件;
第一绝缘层,所述第一绝缘层覆盖所述第一金属层及所述衬底,且所述第一绝缘层在对应所述第三区域处设置有通孔;
导电层,位于所述第一绝缘层远离所述第一金属层的一侧,所述导电层包括设置于所述第一区域和所述第二区域的第一导电部和设置于所述第三区域的第二导电部,至少部分所述第二导电部通过所述通孔与所述第二金属构件连接;
第二金属层,所述第二金属层包括设置于所述衬底的所述第一区域的第三金属构件和设置于所述衬底的所述第三区域的第四金属构件,所述第四金属构件与所述第二导电部连接。
在一些实施例中,所述阵列基板具有一显示区与非显示区,所述非显示区包括一栅极驱动电路区,所述栅极驱动电路区具有第一走线和第二走线;
所述衬底的所述第一区域与所述第二区域对应所述阵列基板的所述显示区;
所述衬底的所述第三区域对应所述阵列基板的所述非显示区内的所述栅极驱动电路区;
所述第二金属构件为所述栅极驱动电路区的所述第一走线,所述第四金属构件为所述栅极驱动电路区的所述第二走线。
在一些实施例中,所述第一金属构件为栅极和扫描线。
在一些实施例中,所述第三金属构件为源极与漏极。
在一些实施例中,所述阵列基板还包括保护层,所述保护层覆盖所述导电层及所述第二金属层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的