[发明专利]一种低翘曲的多芯片封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种低翘曲的多芯片封装结构，包括：

转接板；

转接板导电通孔，所述转接板导电通孔贯穿所述转接板；

第一芯片，所述第一芯片倒装焊至所述转接板正面，且电连接至所述转接板导电通孔；

底填胶层，所述底填胶层设置在所述第一芯片与所述转接板之间；

塑封层，所述塑封层覆盖所述转接板的上部，包覆所述第一芯片和所述底填胶层；

塑封层表面互连层，所述塑封层表面互连层设置在所述塑封层的上表面；

层间导电互连结构，所述层间导电互连结构电连接所述转接板导电通孔至所述塑封层表面互连层；

第二芯片，所述第二芯片设置在所述塑封层的上面，且电连接至所述塑封层表面互连层；以及

外接焊球，所述外接焊球设置在所述转接板的背面，且电连接至所述转接板导电通孔。

2.如权利要求1所述的低翘曲的多芯片封装结构，其特征在于，所述转接板的正面还设置有正面布局布线层，所述正面布局布线层电连接至所述转接板导电通孔。

3.如权利要求2所述的低翘曲的多芯片封装结构，其特征在于，所述第一芯片倒装焊接至所述正面布局布线层的芯片焊盘。

4.如权利要求1或3所述的低翘曲的多芯片封装结构，其特征在于，所述第一芯片的数量为M，其中M≥2。

5.如权利要求1所述的低翘曲的多芯片封装结构，其特征在于，所述层间导电互连结构为塑封层导电通孔。

6.如权利要求1所述的低翘曲的多芯片封装结构，其特征在于，所述层间导电互连结构为键合引线。

7.如权利要求1所述的低翘曲的多芯片封装结构，其特征在于，所述转接板的背面还设置有背面布局布线层，所述背面布局布线层电连接至所述转接板导电通孔，所述外接焊球电连接至所述背面布局布线层。

8.一种形成该低翘曲的多芯片封装结构的制造方法，包括：

将第一芯片倒装焊至带盲孔TSV的转接板正面；

在第一芯片的下方形成底填胶层；

对转接板的正面进行整体塑封形成包覆第一芯片和底填胶层的塑封层；

在塑封层内形成塑封层导电通孔；

在塑封层的上表面形成布线层；

将含第二芯片的晶圆与塑封层的布线层对准后进行晶圆级键合；

进行转接板的背面减薄实现TSV背面露头；以及

形成外接焊球。

9.一种形成该低翘曲的多芯片封装结构的制造方法，包括：

将第一芯片倒装焊至带盲孔TSV的转接板正面；

在第一芯片的下方形成底填胶层；

对转接板的正面进行整体塑封形成包覆第一芯片和底填胶层的塑封层；

在塑封层的上表面形成布线层；

将含第二芯片的晶圆与塑封层上的布线层对准后进行晶圆级键合；

进行含第二芯片的晶圆的刻蚀实现塑封层焊盘外露；

进行塑封层烧蚀实现转接板TSV焊盘外露；

形成电连接塑封层布线层焊盘至转接板TSV焊盘的互连结构；

进行转接板的背面减薄实现TSV背面露头；以及

形成外接焊球。

10.如权利要8或9所述的形成该低翘曲的多芯片封装结构的制造方法，在完成转接板的背面减薄实现TSV背面露头后，形成转接板背面布线层；以及进行封装结构的分隔，形成独立的低翘曲多芯片封装结构。