[发明专利]一种用于延迟锁相环的电荷泵电路

权利要求书

1.一种用于延迟锁相环的电荷泵电路，其特征在于，包括：充放电流偏置电路(1)及电荷泵核心电路(2)，其中所述充放电流偏置电路(1)的信号输出端接所述电荷泵核心电路(2)的信号输入端；所述充放电流偏置电路(1)为所述电荷泵核心电路(2)提供偏置信号，电荷泵核心电路(2)用于产生电荷泵输出信号；所述充放电流偏置电路(1)采用工作在线性区MOS管作源极负反馈阻抗的电流镜结构；所述电荷泵核心电路(2)采用NMOS管M20栅极与PMOS管M19栅极相连且NMOS管M20源极接外部地线GND结构、PMOS管M21栅极与NMOS管M22栅极相连且PMOS管M21源极接外部电源VDD结构来抑制电荷泵的电荷共享效应，采用NMOS管M16、NMOS管M14、NMOS管M24构成放电反馈，采用PMOS管M15、PMOS管M13、PMOS管M23构成充电反馈，用于提高电荷泵充/放电电流匹配性能，采用PMOS管M17以及NMOS管M18分别构成MOS电容来抑制电荷泵开关阶段馈通引起的输出端Vctrl抖动；

所述充放电流偏置电路(1)包括：电流源Ib、NMOS管M1、NMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、NMOS管M5、NMOS管M6、PMOS管M7、PMOS管M8、NMOS管M9及NMOS管M10，其中电流源Ib的一端分别与PMOS管M3的源极、PMOS管M7的源极以及外部电源VDD相连，电流源Ib的另一端分别与NMOS管M1的漏极、NMOS管M1的栅极、NMOS管M5的栅极以及NMOS管M9的栅极相连，NMOS管M1的源极与NMOS管M2的漏极相连，NMOS管M2的栅极分别与NMOS管M6的栅极、NMOS管M10的栅极以及外部电源VDD相连，NMOS管M2的源极分别与NMOS管M6的源极、NMOS管M10的源极以及外部地GND相连，PMOS管M3的栅极分别与PMOS管M7的栅极以及外部地GND相连，PMOS管M3的漏极与PMOS管M4的源极相连，PMOS管M4的栅极分别与PMOS管M8的栅极、PMOS管M4的漏极以及NMOS管M5的漏极相连，NMOS管M5的源极与NMOS管M6的漏极相连，PMOS管M7的漏极与PMOS管M8的源极相连，NMOS管M9的源极与NMOS管M10的漏极相连；

所述充放电流偏置电路(1)中，NMOS管M2、NMOS管M6及NMOS管M10具有相同的沟道宽长比，NMOS管M1分别与NMOS管M5、NMOS管M9构成电流镜且具有相同的沟道宽长比，因而NMOS管M5的漏极电流I₅与NMOS管M9的漏极电流I₉有I₅＝I₉＝I_b，其中I_b为电流源Ib的电流；PMOS管M3与PMOS管M7具有相同的沟道宽长比，PMOS管M4与PMOS管M8构成电流镜且具有相同的沟道宽长比，因而PMOS管M8的漏极电流I₈有I₈＝I_b；NMOS管M9支路以及PMOS管M8支路为所述电荷泵核心电路(2)提供充/放电偏置信号；NMOS管M2、NMOS管M6及NMOS管M12的栅极均接外部电源VDD，PMOS管M3及PMOS管M7的栅极均接外部地GND，目的使得所述充放电流偏置电路(1)与所述电荷泵核心电路(2)匹配，从而抑制电路中电流镜匹配误差。