[发明专利]一种下电极组件及其等离子体处理装置有效
| 申请号: | 201911355593.2 | 申请日: | 2019-12-25 |
| 公开(公告)号: | CN113035682B | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
| 发明(设计)人: | 黄允文 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
| 主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人: | 徐雯琼;章丽娟 |
| 地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电极 组件 及其 等离子体 处理 装置 | ||
1.一种用于等离子体处理装置的下电极组件,其特征在于,包括:
静电夹盘,包括承载面,用于承载待处理基片;
若干个升降销孔,贯通所述静电夹盘;
若干个升降销,分别位于各个所述升降销孔内;
若干个多孔套,位于各个所述升降销孔内,环绕设置于各个所述升降销的周围,且所述多孔套与所述升降销之间具有间隙,所述多孔套内具有若干个孔隙,所述孔隙与所述间隙连通;
气浮通道,位于所述静电夹盘内,与各个所述多孔套内的所述孔隙连通;以及
气体输送装置,用于向所述气浮通道内输送气体,气体通过气浮通道和多孔套的孔隙沿周向进入升降销孔内,使所述多孔套与所述升降销之间形成气膜;
若干个销底座,所述销底座支撑所述升降销,且所述升降销可沿所述销底座的顶部表面移动;
当升降销和升降销孔不同心时,升降销在气膜的气压作用下自动调整位置使两者同心。
2.如权利要求1所述的用于等离子体处理装置的下电极组件,其特征在于,还包括:
设备板,所述静电夹盘设置于所述设备板上,所述设备板上具有若干个通孔,各个所述通孔的中心轴线分别与升降销孔的中心轴线重合,所述升降销也贯穿所述通孔;
升降装置,位于所述设备板下方;
各个所述销底座的一端分别接触所述升降销的端部,其另一端与所述升降装置连接,且所述销底座可进入所述通孔内,每个所述销底座的外围均环绕设置波纹管,所述波纹管的两端分别与设备板的底部以及升降装置的顶部固定连接。
3.如权利要求2所述的用于等离子体处理装置的下电极组件,其特征在于,还包括:
真空抽气装置,与所述静电夹盘或者设备板底部连接,用于使升降销下方的气压小于顶部和侧壁的气压。
4.如权利要求1所述的用于等离子体处理装置的下电极组件,其特征在于,
所述静电夹盘内还具有冷却通道,所述承载面暴露出所述冷却通道,一冷却源与所述冷却通道连接。
5.如权利要求1所述的用于等离子体处理装置的下电极组件,其特征在于,
所述多孔套由多孔材料制成或经加工而形成具有所述若干个孔隙。
6.如权利要求1所述的用于等离子体处理装置的下电极组件,其特征在于,
所述多孔套与位于所述升降销孔中的升降销之间的间隙宽度为小于或等于0.1毫米。
7.一种等离子体处理装置,其特征在于,该装置包括:
反应腔;以及
如权利要求1至权利要求6中的任一项所述的下电极组件,位于所述反应腔内底部。
8.如权利要求7所述的等离子体处理装置,其特征在于,
所述等离子体处理装置包括电容耦合等离子体刻蚀装置或者电感耦合等离子体刻蚀装置。
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