[发明专利]一种薄膜垂直集成单元二极管芯片

权利要求书

1.一种薄膜垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，所述二极管芯片依次包括：保护金属层、反射镜、第一导电类型层、量子阱有源区、第二导电类型层电极，所述二极管芯片还包括绝缘介质层、第一导电类型电极、第二导电类型电极及远离第一导电类型电极的一侧形成n个二极管台面结构和沟槽，第二导电类型电极线沿所述第一导电类型层之上的沟槽延伸，所述延伸的第二导电类型电极线之间形成n个二极管单元台面结构，其中，n≥2；沟槽位于二极管单元之间；

其中，相邻二极管单元在垂直于所述第二导电类型电极线延伸方向上的距离小于横向临界电流扩散长度，所述横向临界电流扩散长度为与二极管单元的“工作电压(VF)-单元尺寸”曲线上的拐点所对应的电流扩散长度。

2.如权利要求1所述的薄膜垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，所述横向临界电流扩散长度小于70微米。

3.一种如权利要求1所述的薄膜垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，采用激光剥离或化学蚀刻的方式移除芯片的生长衬底。

4.一种如权利要求1所述的薄膜垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，所述二极管单元之间的沟槽横截面形状为三角形、四边形、弧形、同心圆环、十字形。

5.一种如权利要求1所述的薄膜垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，所述沟槽宽度为0.5纳米-10微米，深度为0.5纳米-10微米。

6.一种如权利要求1所述的薄膜垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，所述二极管台面结构内的n个二极管单元沿沟槽底部向上的垂直方向上，并垂直于所述第二导电类型电极延伸方向上的截面面积不变或逐渐缩小。

7.一种如权利要求1所述的薄膜垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，所述二极管单元均匀或非均匀排布在芯片上。

8.一种如权利要求1所述的薄膜垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，第二导电类型电极线从n个二极管单元第一端面延伸至第二端面，或所述第二导电类型电极线从部分二极管单元第一端面延伸至第二端面。

9.一种如权利要求8所述的薄膜垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，所述第二导电类型电极线与n个二极管单元顶部欧姆接触。

10.一种如权利要求9所述的薄膜垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，第二导电类型焊盘与第二导电类型电极线连接；所述第二导电类型电极线为线条形电极线。

11.一种如权利要求10所述的薄膜垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，所述线条形电极线布局方式为部分或全部设计采用直线布局。

12.一种如权利要求10所述的薄膜垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，所述线条形电极线布局方式为部分或全部设计采用非直线布局，所述非直线布局包括折线布局，曲线布局。

13.一种如权利要求1所述的薄膜垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，还包括第一导电类型焊盘、第二导电类型焊盘，其中第一导电类型焊盘与第二导电类型焊盘在芯片同一侧，第一导电类型电极与第一导电类型焊盘连接，第二导电类型电极与第二导电类型焊盘连接，所述第一导电类型焊盘个数及所述第二导电类型焊盘个数大于或等于1。

14.一种如权利要求13所述的薄膜垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，所述第一导电类型焊盘及所述第二导电类型焊盘形状为：半圆形，圆形，矩形，三角形。

15.一种如权利要求13所述的薄膜垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，所述第一导电类型焊盘及所述第二导电类型焊盘厚度为0.001微米～20微米；所述第一导电类型焊盘宽度为：10微米～100微米。