[发明专利]PEDOT:PSS材料及处理方法，量子点发光二极管

说明书

本发明属于发光二极管技术领域，尤其涉及一种PEDOT:PSS的处理方法，包括步骤：获取卤化铵配体，所述卤化铵配体中碳原子总数少于15；获取PEDOT:PSS，将所述PEDOT:PSS和所述卤化铵配体与有机溶剂混合处理，在预设温度下反应，得到修饰后的PEDOT:PSS。本发明采用卤化铵配体对PEDOT:PSS的修饰方法，能够在不影响PEDOT:PSS优良的可溶液加工的前提下，可以有效地抑制PSS^‑在PEDOT:PSS顶层聚集，显著提高导电率，从而提高空穴的传输性能，大大提高量子点发光二极管器件的性能。

技术领域

本发明属于发光二极管技术领域，尤其涉及一种PEDOT:PSS材料及处理方法、一种量子点发光二极管。

背景技术

量子点作为半导体纳米晶的重要分支之一，其尺寸通常在2～50nm之间，具有显著的量子限域效应。QLED(量子点发光二级管)是以性能更加稳定的无机量子点作为发光层，具有特有的光谱可调，发光效率高，峰宽窄，荧光寿命长，稳定性好且具备优良的可溶液加工等诸多优点，在照明、新型显示、化学传感和光学医疗等领域具有巨大的应用潜力。经过多年的研究和进一步发展，通过围绕厚壳层生长和合金梯度量子点的发展，极大的推动了QLED器件性能的显著提升，使得其真正走向产业化之路迈出了重要一步。QLED器件结构为典型的“三明治”结构，由于空穴传输材料的电荷迁移率通常比电子传输层材料的电荷迁移率要低，因此，器件在工作时常常会造成电子、空穴注入不平衡，同时造成量子点和空穴传输层界面间堆积大量的载留子。过多的载流子会极易引发非辐射复合，甚至猝灭发光，这极大的限制了QLED器件性能的大幅度提升。

目前，PEDOT:PSS(聚3，4-乙撑二氧噻吩：聚苯乙烯磺酸)作为一种新型聚噻吩类导电聚合物，其中，PSS含有两性官能团，磺酸又是强酸，将PSS掺杂到PEDOT中，不仅可以作为分散剂，改善PEDOT的溶解性，而且可以作为平衡电荷的掺杂剂，提高PEDOT的电导率。因而，PEDOT:PSS具有导电率较高、能带宽度窄、透光率高、稳定性高、可溶液加工性能以及绿色环保等诸多优点，成为了现阶段研究较多以及应用广泛的导电高分子材料，也常被用作空穴材料用于制备QLED器件。但是，具有更高表面自由能的PSS在引入到PEDOT时，常常在PEDOT:PSS顶层聚集，由于PSS具有较高的绝缘性，该自身的结构特性使大量聚集在PEDOT:PSS顶层聚集的PSS层常常会造成PEDOT:PSS的导电率较之PEDOT下降很多，严重影响空穴的传输，极大程度上影响QLED器件中空穴和电子的复合效率。

发明内容

本发明旨在解决PEDOT:PSS材料的应用问题。

为了实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

一种PEDOT:PSS的处理方法，包括以下步骤：

获取卤化铵配体，所述卤化铵配体中碳原子总数少于15；

获取PEDOT:PSS，将所述PEDOT:PSS和所述卤化铵配体与有机溶剂混合处理，在温度为25～150℃的条件下反应，得到修饰后的PEDOT:PSS。

相应地，一种PEDOT:PSS材料，所述PEDOT:PSS材料包括PEDOT:PSS和结合在所述PEDOT:PSS上的碳原子总数少于15的卤化铵配体。

相应地，一种量子点发光二极管，所述量子点发光二极管包括相对设置的阳极和阴极，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，以及设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴功能层，所述空穴功能层的材料包括上述处理方法修饰后的PEDOT:PSS。