[发明专利]Si-P膜层材料的制备方法有效
| 申请号： | 201911354017.6 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111118565B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 周琼宇;李媛媛;王小芬 | 申请（专利权）人： | 佛山科学技术学院 |
| 主分类号： | C25D9/04 | 分类号： | C25D9/04;C25D5/24;C25D5/18;H01M4/38;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 朱继超 |
| 地址： | 528000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | si 材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种Si-P膜层材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将乙腈与四乙基氯化铵混合制成基础电解液，加入硅源和磷源后进行电沉积，从金属Ni基底电极表面即可获得所述Si-P膜层材料，其中，所述磷源选自三氯化磷、氯化磷、三溴化磷或五溴化磷；所述三氯化磷的浓度为2.5～5mol/L；所述氯化磷的浓度为2～10mol/L；所述三溴化磷的浓度为1～6mol/L；所述五溴化磷的浓度为0.5～10mol/L；所述电沉积为脉冲电沉积，其电流密度范围为0.05～35A/dm2，脉冲频率为500～12000Hz，占空比15～85％。
2.根据权利要求1所述的Si-P膜层材料的制备方法，其特征在于，所述硅源选自三氯氢硅、四氯化硅、三溴氢硅或四溴化硅。
3.根据权利要求2所述的Si-P膜层材料的制备方法，其特征在于，所述三氯氢硅的浓度为2.5～8mol/L；所述四氯化硅的浓度为0.5～5mol/L；所述三溴氢硅的浓度为2～5mol/L；所述四溴化硅的浓度为1～10mol/L。
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