[发明专利]低单元电压电荷共享电路

说明书

电荷共享型低单元电压(LCV)写入辅助利用存储阵列的顶部上的未使用金属层来实施电容，而不产生面积成本。在每一写入操作的电荷共享阶段期间，对于给定的低单元电压电平，只需要一次性固定量的电荷支出。平行于位单元电源线的金属线在所有存储器密度配置当中对电荷共享具有良好的电容匹配，从而有利于存储器编译器设计。

背景技术

常见类型的集成电路存储器为静态随机存取存储器(static random accessmemory；SRAM)器件。典型SRAM存储器器件具有存储单元的阵列。每一存储器单元使用例如连接在较高参考电势与较低参考电势(通常为接地)之间的六个晶体管，使得两个存储节点中的一个可经将要存储的信息占据，且互补信息存储在另一存储节点处。

写入辅助电路由存储器器件利用以提高向存储器位单元写入数据的速度和简易性。用以动态地调整供应给存储器位单元的功率的偏置电路允许更快和更低功率的写入操作。然而，在跨时间消耗大量有效功率的写入循环期间，偏置电路通常通过恒定电流消耗来利用恒定的降低电压。此外，偏置电路在存储器器件上占据较大面积，因此对存储器密度产生不利影响。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述最好地理解本公开的各方面。应注意，根据业界中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，为论述清楚起见，可以任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1为描绘根据一些实施例的包含低单元电压(lower-cell-voltage；LCV)电荷共享电路的存储器器件的框图。

图2为根据一些实施例的图1中所绘示的存储器器件的静态随机存取存储器(SRAM)单元的实例的电路图。

图3为绘示根据一些实施例的LCV电荷共享电路的实例的电路图。

图4为示出根据一些实施例的存储器器件的各种层的实例的框图。

图5为描绘根据一些实施例的图3的LCV电荷共享电路的实例波形的图。

图6为示出根据一些实施例的具有LCV电荷共享电路的存储器器件的方面的框图。

图7为描绘根据一些实施例的LCV电荷共享方法的流程图。

附图标号说明

100：存储器器件；

102：低单元电压电荷共享电路/LCV控制电路；

104：阵列；

106：电源线；

108：电荷共享线；

110：行解码器；

200：存储单元；

202：字线；

204a、204b：位线；

206a、206b、206c、206d、316：NMOS晶体管；

208a、208b、314：PMOS晶体管；

302：电源输入端子；

304：接地端子；

306：传输栅极；

308：NAND栅极；

310：第一反相器；

312：第二反相器；

318：使能信号端子；

320：信号端子

400：衬底/有源区水平面；

500：波形图；