[发明专利]一种高能中子照相用成像板及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201911351035.9 申请日: 2019-12-25
公开(公告)号: CN111025375B 公开(公告)日: 2022-06-07
发明(设计)人: 吴洋;唐彬;彭述明;钱达志;霍合勇;尹伟;李航;孙勇;刘斌;曹超;王胜;朱世雷;姚健;陈玉山;李江波;张旸 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
主分类号: G01T3/00 分类号: G01T3/00
代理公司: 中国工程物理研究院专利中心 51210 代理人: 翟长明;张保朝
地址: 621999 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 高能 中子 照相 成像 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种高能中子照相用成像板的制备方法,其特征是:包括有以下步骤:

a、制备荧光粉和铁磁粉:

a1、定量称取荧光粉原料混合物聚乙烯醇缩丁醛和BaFBr∶Eu2+荧光粉按重量比1∶1混合放入球磨机中研磨;

a2、定量称取铁磁粉原料混合物聚乙烯醇缩丁醛和Fe3O4按重量比1∶1混合放入球磨机中研磨;

a3、将研磨好的荧光粉原料放入氧化铝舟内,将氧化铝舟放入管式炉的石英管中烧结得到雪白坚硬的固体产物;

a4、将步骤a3所得的固体产物研磨过40目筛网后得到的粉末状产物即为荧光粉;

a5、将研磨好的铁磁粉原料放入氧化铝舟内,将氧化铝舟放入管式炉的石英管中烧结得到雪白坚硬的固体产物;

a6、将步骤a5所得的固体产物研磨过200目筛网后得到的粉末状产物即为铁磁粉;

b、涂布:

b1、称量适量的PVB,放入烧杯中,往烧杯中分别加入丁酮和甲基异丁酮,常温搅拌2~3分钟,然后加热至60℃,边加热边搅拌,待PVB全部溶解后,备用;

b2、将荧光粉、邻苯二甲酸二丁酯以及PVB溶液加入到球磨罐中,球磨规定时间后备用;

b3、将PET片基固定在涂布装置的不锈钢平台上,用真空泵抽空吸住PET片基,在PET片基上安装框架,调整平台水平,并开通热水通过不锈钢平台内的管道,控制热水温度为36℃,加热平台,在涂布装置里的两个杯子中各加入10~15ml丁酮,加热到50℃,使涂布装置内充满丁酮气体,制造丁酮氛围;

b4、将步骤b2中球磨罐中备用的混合液体倒入烧杯中,盖好杯盖,将烧杯转移入涂布装置中,并确保涂布装置内部密封;

b5、通过涂布装置的手套箱上的手套操作,将烧杯中的混合液体倒入PET片基上安装好的框架中,使其流平3~5分钟后,关闭热水,开通冰水,使平台的温度下降并保持在15℃以下5分钟后,打开涂布装置上的阀门至一半的位置,继续通冰水不少于4个小时,然后将阀门开启最大位置,40小时后,溶剂全部挥发,完成荧光层的涂布干燥;

b6、将铁磁粉、PVB溶液加入球磨罐中,球磨规定时间后备用;

b7、将步骤b6中球磨罐中备用的混合液体倒入烧杯中,盖好杯盖,将烧杯转移入涂布装置中,并确保涂布装置内部密封;

b8、通过涂布装置的手套箱上的手套操作,在步骤b5所制的荧光层的背面将烧杯中的混合液体倒入PET片基上安装好的框架中,使其流平10分钟后,关闭热水,开通冰水,使平台的温度下降并保持在15℃以下5分钟后,打开涂布装置上的阀门至一半的位置,继续通冰水不少于5个小时,然后将阀门开启最大位置,20小时后,溶剂全部挥发,完成铁磁层的涂布干燥;

c、成型:

c1、将制备好的荧光层和铁磁层从PET片基上剥离;

c2、使用印刷覆膜机,在室温条件下,在干净的PET薄膜两面平整的粘贴一片双面胶;

c3、使用印刷覆膜机,室温下将剥离的荧光层、铁磁层分别粘贴在PET的两面;

c4、使用印刷上光机,在60℃下,压紧步骤c3制得的样品,使用印刷覆膜机,在80℃下,将12微米厚BOPP膜覆盖在荧光层、铁磁层的外表面;

c5、使用冲切机,冲切成型后再荧光层的上方覆盖一块尺寸匹配的铅板。

2.一种根据权利要求1所述的方法,其特征是:所述步骤a1中,荧光粉原料各组分按照重量份计为:NH4Br73.74份、BaCO370.46份、BaF265.76份Eu2O30.645份;各组分原料放入球磨机中后先手工搅动使各组分初步混合后,开启球磨机,控制球磨机转速500转/分,球磨时间10分钟,重复3次,过筛后得到研磨好的原料粉末。

3.一种根据权利要求1所述的方法,其特征是:所述步骤a3中,具体烧结的过程为:先将石英管内抽真空,当石英管内负压应达到0.08Mpa后通入含氩气93%、氢气7%的混合气体,使石英管内气压达到0.02Mpa;

设置管式炉的温度控制程序:

a.从室温开始升温至380℃,升温时间2小时;

b.保持380℃2小时;

c.从380℃升温至850℃,升温时间2小时;

d.保持850℃2小时;

e.从850℃降至室温;

同步接通混合气体,在管式炉温控阶段处于a~d阶段时,气体流速为10-12ml/min,e阶段保持气体流速为4-6ml/min。

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