[发明专利]一种CMOS反相器的制备方法

说明书

本发明提供一种CMOS反相器的制备方法，该方法包括：在基底上印刷氧化物墨水，对所述印刷有氧化物墨水的基底进行退火处理，使所述氧化物墨水发生反应，以得到第一有源层；所述氧化物墨水为硝酸铟和硝酸锌的混合溶液；在所述基底上制作第一源极和第一漏极，并在第一源极和第一漏极之间印刷碳管墨水，形成第二有源层，以得到第一薄膜晶体管；所述碳管墨水包括半导体碳纳米管和聚合物，且所述聚合物包裹所述半导体碳纳米管；在所述第一有源层的两侧制作第二源极和第二漏极，以得到第二薄膜晶体管；在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管之间形成导线，以得到CMOS反相器。本发明的CMOS反相器的制备方法，能够降低功耗和提高稳定性。

【技术领域】

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种CMOS反相器的制备方法。

【背景技术】

薄膜晶体管(TFT)是主动矩阵液晶显示(LCD)与有机发光二极管(AM-OLED)显示面板的关键元件，主要用于制作显示面板的驱动电路。

基于氧化物的CMOS逻辑器件多数采用p-type的有机TFT和n-type氧化物TFT杂化式结构，但多种半导体有源层在实际应用时会增加电路设计和制备的复杂性。有机TFT的空穴迁移率较低(2cm2V-1s-1)，器件寿命、器件和器件之间的均匀性以及器件在氧气和潮湿环境下的稳定性均比较差，且有机材料的可加工性能也较差。另一方面，n-type的有机半导体的迁移率较p-type有机物的迁移率更低(0.01-0.1cm2V-1s-1)，这使得有机半导体较难在复杂的功能电路，如CMOS逻辑电路中应用，从而导致了现有CMOS反相器的功耗较大且稳定性较差。

因此，有必要提供一种CMOS反相器的制备方法，以解决现有技术所存在的问题。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种CMOS反相器的制备方法，能够降低功耗和提高稳定性。

为解决上述技术问题，本发明提供一种CMOS反相器的制备方法，包括：

在基底上印刷氧化物墨水，对所述印刷有氧化物墨水的基底进行退火处理，使所述氧化物墨水发生反应，以得到第一有源层；所述氧化物墨水为硝酸铟和硝酸锌的混合溶液；

在所述基底上制作第一源极和第一漏极，并在第一源极和第一漏极之间印刷碳管墨水，形成第二有源层，以得到第一薄膜晶体管；所述碳管墨水包括半导体碳纳米管和聚合物，且所述聚合物包裹所述半导体碳纳米管；

在所述第一有源层的两侧制作第二源极和第二漏极，以得到第二薄膜晶体管；

在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管之间形成导线，以得到CMOS反相器。

本发明的CMOS反相器的制备方法，包括在基底上印刷氧化物墨水，对所述印刷有氧化物墨水的基底进行退火处理，使其发生反应，以得到第一有源层；所述氧化物墨水为硝酸铟和硝酸锌的混合溶液；在所述基底上制作第一源极和第一漏极，并在第一源极和第一漏极之间印刷碳管墨水，形成第二有源层，以得到第一薄膜晶体管；所述碳管墨水包括半导体碳纳米管和聚合物，且所述聚合物包裹所述半导体碳纳米管；在所述第一有源层的两侧制作第二源极和第二漏极，以得到第二薄膜晶体管；在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管之间形成导线，以得到CMOS反相器，由于采用溶液方法制作，能够降低低功耗和提高稳定性。

【附图说明】

图1为本发明的CMOS反相器的制备方法的第一步的第一分步的结构示意图；

图2为本发明的CMOS反相器的制备方法的第一步的第二分步的结构示意图；

图3为本发明的CMOS反相器的制备方法的第二步的结构示意图；

图4为本发明的CMOS反相器的制备方法的第三步的结构示意图；