[发明专利]显示装置及制造方法

权利要求书

1.一种显示装置，其特征在于，包括电浆阻离阵列、电浆、衬垫边框以及相对设置的第一基板和第二基板；所述电浆和所述衬垫边框设置在所述第一基板和所述第二基板之间，所述第一基板邻近所述电浆的一侧设置有像素电极层，所述像素电极层包括多个呈阵列排布的像素电极；所述第二基板邻近所述电浆的一侧设置有公共电极层；所述电浆阻离阵列设置在所述像素电极层上以均匀分散和稳固所述电浆；所述衬垫边框包围所述电浆；所述电浆阻离阵列包括若干呈阵列分布的挡墙框；所述挡墙框靠近所述公共电极层一侧的端面上设有沟道结构，相邻的两个所述挡墙框通过所述沟道结构相连通；每一所述挡墙框对应包围一所述像素电极；所述显示装置还包括在所述第一基板上由下而上依次层叠设置的薄膜晶体管层、第一绝缘层；所述薄膜晶体管层包括第一金属层、第二绝缘层、半导体层和第二金属层；所述第一金属层包括第一电极；所述第二金属层包括第二电极和第三电极；所述第三电极包括源极和漏极，所述源极与所述漏极通过所述第二电极电连接；所述像素电极与所述漏极电连接；所述第一绝缘层上开设有过孔，所述过孔暴露所述漏极，所述像素电极通过所述过孔与所述漏极电连接；所述漏极用于向所述像素电极传输电信号；所述挡墙框靠近所述公共电极层一侧的端面上设置有若干凸起部，所述沟道结构为相邻两所述凸起部之间形成的间隙；所述显示装置包括显示区和非显示区，位于所述非显示区内的所述挡墙框包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第二部分靠近所述第一基板的一侧，所述第一部分由若干挡墙壁顺次首尾相接构成，定义相交的两个所述挡墙壁形成拐角，所述第二部分包括所述沟道结构，所述沟道结构中的沟道与所述拐角交叠；靠近所述衬垫边框的挡墙壁的高度为h1,位于所述显示区内的挡墙壁的高度为h2，位于所述显示区内的所述第二部分的最大高度为h3，其中，h1h2,h1≤h2+h3。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述凸起部的形状为圆台形、圆锥形、圆柱形、椭圆柱形、长方体形或凸包形。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述凸起部的高度为2-6um。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述凸起部与所述挡墙框一体成型。

5.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括：

在第一基板上制备像素电极层；

在所述像素电极层上制备电浆阻离阵列；所述电浆阻离阵列包括若干呈阵列分布的挡墙框，所述挡墙框靠近公共电极层一侧的端面上设有沟道结构，相邻的两个所述挡墙框通过所述沟道结构相连通；

在所述第一基板上制备衬垫边框，使所述衬垫边框包围所述电浆阻离阵列；

在第二基板上制备公共电极层；

向所述衬垫边框内注入电浆，使所述电浆均匀分散在所述电浆阻离阵列内；

将所述第二基板和所述公共电极层压合在所述衬垫边框和所述电浆上，使所述公共电极层邻近所述电浆；

在所述第一基板上制备像素电极层，包括：

在所述第一基板上由下而上依次制备薄膜晶体管层和第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上制备像素电极层；

所述在所述第一基板上由下而上依次制备薄膜晶体管层和第一绝缘层，包括：

在所述第一基板上制备栅极薄膜和半导体层；

对所述栅极薄膜依次进行涂胶、烘烤、光刻、显影、刻蚀和去胶，形成第一电极；

在所述第一电极上制备第二绝缘层，并在所述第二绝缘层上制备源漏电极层；

对所述源漏电极层依次进行涂胶、烘烤、光刻、显影、湿法刻蚀和去胶，同时形成漏极、源极和第二电极；其中，所述第二电极位于所述漏极和所述源极之间并连接所述漏极和所述源极；

所述显示装置包括显示区和非显示区，位于所述非显示区内的所述挡墙框包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第二部分靠近所述第一基板的一侧，所述第一部分由若干挡墙壁顺次首尾相接构成，定义相交的两个所述挡墙壁形成拐角，所述第二部分包括所述沟道结构，所述沟道结构中的沟道与所述拐角交叠；靠近所述衬垫边框的挡墙壁的高度为h1,位于所述显示区内的挡墙壁的高度为h2，位于所述显示区内的所述第二部分的最大高度为h3，其中，h1h2,h1≤h2+h3。