[发明专利]电源防反接电路和电源电路在审

专利信息
申请号: 201911348174.6 申请日: 2019-12-24
公开(公告)号: CN110890749A 公开(公告)日: 2020-03-17
发明(设计)人: 周立功;荣加辉;杨程 申请(专利权)人: 广州致远电子有限公司
主分类号: H02H11/00 分类号: H02H11/00;H02J7/00
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 张彬彬
地址: 510665 广东省广州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 电源 反接 电路
【权利要求书】:

1.一种电源防反接电路,其特征在于,包括:

P型MOS管;所述P型MOS管的漏极用于连接直流电源的第一电极,所述P型MOS管的源极用于连接电压传输端口;

接地端,用于连接所述直流电源的第二电极;

开关模块,包括第一开关管和第二开关管;所述第一开关管的第一极连接所述P型MOS管的栅极,且通过第一电阻连接所述P型MOS管的源极;所述第一开关管的第二极连接所述接地端;所述第二开关管的第一极连接所述第一开关管的控制极,且通过第二电阻连接所述P型MOS管的源极;所述第二开关管的第二极用于连接所述直流电源的第一电极;所述第二开关管的控制极连接所述接地端;

所述开关模块在所述接地端的电平大于0V时,关断所述P型MOS管。

2.根据权利要求1所述的电源防反接电路,其特征在于,

所述第一开关管为NPN型三极管或N型MOS管;

所述第二开关管为NPN型三极管或N型MOS管。

3.根据权利要求1所述的电源防反接电路,其特征在于,还包括:

电流抑制电路,连接在所述P型MOS管的漏极和所述直流电源的第一电极之间。

4.根据权利要求3所述的电源防反接电路,其特征在于,所述电流抑制电路包括电感;

所述电感的第一端连接所述P型MOS管的漏极,所述电感的第二端用于连接所述直流电源的第一电极。

5.根据权利要求1所述的电源防反接电路,其特征在于,还包括:

电压抑制电路;所述电压抑制电路的第一端连接所述P型MOS管的漏极;所述电压抑制电路的第二端连接所述接地端。

6.根据权利要求5所述的电源防反接电路,其特征在于,所述电压抑制电路包括第一电容;

所述第一电容的第一端连接所述P型MOS管的漏极;所述第一电容的第二端连接所述接地端。

7.根据权利要求1至6任一项所述的电源防反接电路,其特征在于,还包括第二电容;

所述第二电容的第一端连接所述P型MOS管的栅极;所述第二电容的第二端连接所述接地端。

8.根据权利要求1至6任一项所述的电源防反接电路,其特征在于,还包括:

第三电阻,连接在所述第一开关管的第一极和所述P型MOS管的栅极之间;

第四电阻,连接在所述第二开关管的控制极和所述接地端之间。

9.根据权利要求1至6任一项所述的电源防反接电路,其特征在于,还包括充放电模块;

所述充放电模块的第一传输端口连接所述电压传输端口,所述充放电模块的第二传输端口连接所述接地端。

10.一种电源电路,其特征在于,包括:

直流电源;

如权利要求1至9任一项所述的电源防反接电路。

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