[发明专利]电源防反接电路和电源电路在审
| 申请号: | 201911348174.6 | 申请日: | 2019-12-24 |
| 公开(公告)号: | CN110890749A | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
| 发明(设计)人: | 周立功;荣加辉;杨程 | 申请(专利权)人: | 广州致远电子有限公司 |
| 主分类号: | H02H11/00 | 分类号: | H02H11/00;H02J7/00 |
| 代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 张彬彬 |
| 地址: | 510665 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电源 反接 电路 | ||
1.一种电源防反接电路,其特征在于,包括:
P型MOS管;所述P型MOS管的漏极用于连接直流电源的第一电极,所述P型MOS管的源极用于连接电压传输端口;
接地端,用于连接所述直流电源的第二电极;
开关模块,包括第一开关管和第二开关管;所述第一开关管的第一极连接所述P型MOS管的栅极,且通过第一电阻连接所述P型MOS管的源极;所述第一开关管的第二极连接所述接地端;所述第二开关管的第一极连接所述第一开关管的控制极,且通过第二电阻连接所述P型MOS管的源极;所述第二开关管的第二极用于连接所述直流电源的第一电极;所述第二开关管的控制极连接所述接地端;
所述开关模块在所述接地端的电平大于0V时,关断所述P型MOS管。
2.根据权利要求1所述的电源防反接电路,其特征在于,
所述第一开关管为NPN型三极管或N型MOS管;
所述第二开关管为NPN型三极管或N型MOS管。
3.根据权利要求1所述的电源防反接电路,其特征在于,还包括:
电流抑制电路,连接在所述P型MOS管的漏极和所述直流电源的第一电极之间。
4.根据权利要求3所述的电源防反接电路,其特征在于,所述电流抑制电路包括电感;
所述电感的第一端连接所述P型MOS管的漏极,所述电感的第二端用于连接所述直流电源的第一电极。
5.根据权利要求1所述的电源防反接电路,其特征在于,还包括:
电压抑制电路;所述电压抑制电路的第一端连接所述P型MOS管的漏极;所述电压抑制电路的第二端连接所述接地端。
6.根据权利要求5所述的电源防反接电路,其特征在于,所述电压抑制电路包括第一电容;
所述第一电容的第一端连接所述P型MOS管的漏极;所述第一电容的第二端连接所述接地端。
7.根据权利要求1至6任一项所述的电源防反接电路,其特征在于,还包括第二电容;
所述第二电容的第一端连接所述P型MOS管的栅极;所述第二电容的第二端连接所述接地端。
8.根据权利要求1至6任一项所述的电源防反接电路,其特征在于,还包括:
第三电阻,连接在所述第一开关管的第一极和所述P型MOS管的栅极之间;
第四电阻,连接在所述第二开关管的控制极和所述接地端之间。
9.根据权利要求1至6任一项所述的电源防反接电路,其特征在于,还包括充放电模块;
所述充放电模块的第一传输端口连接所述电压传输端口,所述充放电模块的第二传输端口连接所述接地端。
10.一种电源电路,其特征在于,包括:
直流电源;
如权利要求1至9任一项所述的电源防反接电路。
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