[发明专利]微米级台阶高度标准样块的制备方法

权利要求书

1.一种微米级台阶高度标准样块的制备方法，其特征在于，包括：

获取第一硅晶圆片，在所述第一硅晶圆片上生长二氧化硅氧化层，并在所述二氧化硅氧化层上键合第二硅晶圆片，获得第一样品；

对所述第一样品上的所述第二硅晶圆片进行减薄处理以及抛光处理，获得第二样品；其中，减薄后的第二硅晶圆片的厚度与预设标称高度相同；所述预设标称高度为10μm以上；

对所述第二样品上的第二硅晶圆片的预设区域进行刻蚀，直至露出所述二氧化硅氧化层，获得第三样品；

在所述第三样品上表面溅射金属保护层，获得微米级台阶高度标准样块。

2.如权利要求1所述的微米级台阶高度标准样块的制备方法，其特征在于，所述获取第一硅晶圆片，包括：

对硅晶圆片进行双面抛光，并对双面抛光后的硅晶圆片进行清洗和甩干，获取第一硅晶圆片。

3.如权利要求1所述的微米级台阶高度标准样块的制备方法，其特征在于，所述在所述二氧化硅氧化层上键合第二硅晶圆片，获得第一样品，包括：

使用第一电子清洗液对生长二氧化硅氧化层后的第一硅晶圆片和第二硅晶圆片进行清洗，获得清洗后的第一硅晶圆片和第二硅晶圆片；

在所述清洗后的第一硅晶圆片的二氧化硅氧化层上键合清洗后的第二硅晶圆片，获得第一样品。

4.如权利要求1所述的微米级台阶高度标准样块的制备方法，其特征在于，所述进行抛光处理，获得第二样品，包括：

将减薄处理后的第一样品放入腐蚀液中，腐蚀所述第一样品上的第二硅晶圆片的损伤层；

利用超声清洗腐蚀损伤层后的第一样品；

基于化学机械抛光工艺对超声清洗后的第一样品上的第二硅晶圆片进行抛光处理，获得第二样品。

5.如权利要求4所述的微米级台阶高度标准样块的制备方法，其特征在于，所述对所述第二样品上的第二硅晶圆片的预设区域进行刻蚀，直至露出所述二氧化硅氧化层，获得第三样品，包括：

在所述第二样品的第二硅晶圆片上旋涂一层光刻胶，并对所述光刻胶进行光刻，获得光刻胶掩膜，其中，所述光刻胶掩膜为中空的矩形框；

基于深反应离子刻蚀工艺对所述第二样品上未被所述光刻胶掩膜覆盖的第二硅晶圆片进行刻蚀，直至露出所述二氧化硅氧化层；

去除所述光刻胶掩膜，获得第三样品。

6.如权利要求5所述的微米级台阶高度标准样块的制备方法，其特征在于，所述在所述第二样品的第二硅晶圆片上旋涂一层光刻胶，并对所述光刻胶进行光刻，获得光刻胶掩膜，包括：

在所述第二样品的第二硅晶圆片上旋涂一层光刻胶并烘烤；

利用深紫外光对所述光刻胶进行曝光；

在NaOH溶液中对曝光后的光刻胶进行显影并烘烤，获得光刻胶掩膜。

7.如权利要求5所述的微米级台阶高度标准样块的制备方法，其特征在于，所述基于深反应离子刻蚀工艺对所述第二样品上未被所述光刻胶掩膜覆盖的第二硅晶圆片进行刻蚀，包括：

采用刻蚀气体并以预设刻蚀速率对所述第二样品上未被所述光刻胶掩膜覆盖的第二硅晶圆片进行刻蚀。

8.如权利要求7所述的微米级台阶高度标准样块的制备方法，其特征在于，

所述刻蚀气体包括：六氟化硫和八氟环丁烷；

所述预设刻蚀速率为3μm/min～5μm/min。

9.如权利要求1-8中任一项所述的微米级台阶高度标准样块的制备方法，其特征在于，

所述二氧化硅氧化层的厚度为100nm～200nm；

所述金属保护层的厚度为80nm～150nm。

10.如权利要求9所述的微米级台阶高度标准样块的制备方法，其特征在于，所述在所述第三样品上表面溅射金属保护层，获得微米级台阶高度标准样块，包括：

在所述第三样品上表面溅射厚度为90nm的金属铬，获得微米级台阶高度标准样块。