[发明专利]一种基于压电材料的压力传感器及制备方法

权利要求书

1.一种基于压电材料的压力传感器，其特征在于，所述压力传感器由绝缘体上硅作为衬底，在该衬底上设有通过金属电极互联的呈间隔交错排列的d33模式压电材料和结型场效应晶体管；所述的压电材料工作在d33模式下，压电材料包括中间的通用极和两侧的输出电极，其中通用极直接接地；所述压电材料的输出极与相邻的结型场效应晶体管的栅极结构上为同一电极，电学上直接相连，该电极与绝缘体上硅衬底通过欧姆接触相连。

2.根据权利要求1所述的一种基于压电材料的压力传感器，其特征在于，所述的结型场效应管为N沟道结型场效应管或P沟道结型场效应管。

3.根据权利要求1所述的一种基于压电材料的压力传感器，其特征在于，所述压电材料为ZnO、PZT-5系列或AlN。

4.一种基于权利要求1所述压力传感器的制备方法，其特征在于，该方法包括步骤：

a)提供一P型掺杂的绝缘体上硅衬底；

b)于场效应管N阱所在位置掺入N型杂质形成结型场效应管的沟道；

c)于场效应管源极和漏极所在位置掺入N型杂质形成高浓度的源区和漏区；

d)淀积一层绝缘材料，淀积完成后通过CMP进行表面平面化处理；

e)刻蚀压电材料所在位置的绝缘材料；

f)淀积压电材料，淀积完成后通过CMP进行表面平面化处理，同时向下研磨多余的压电材料直到露出顶层绝缘材料；

g)刻蚀金属电极所在位置的绝缘材料与压电材料；

h)溅射金属材料，金属在压电材料层与绝缘材料层中形成电极，同时与下方硅材料之间形成欧姆接触，溅射完成后通过CMP进行表面平面化处理，保留一定厚度的金属膜；

i)刻蚀金属引线以外部分的多余金属材料。