[发明专利]具有多个发光单元的发光二极管在审
申请号: | 201911345709.4 | 申请日: | 2017-11-02 |
公开(公告)号: | CN111048547A | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 吴世熙;金贤儿;金钟奎;蔡钟炫 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62;H01L33/10;H01L33/60;H01L33/40 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 全振永;李盛泉 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 发光 单元 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管,包括:
基板;
多个发光单元,包括分别形成于所述基板上的第一导电型半导体层、活性层和第二导电型半导体层;
欧姆反射层,欧姆接触于各个发光单元的第二导电型半导体层;
下部绝缘层,覆盖所述发光单元及欧姆反射层,并且具有使各个发光单元的第一导电型半导体层及欧姆反射层暴露的开口部;
多个连接部,布置于所述下部绝缘层上,用于串联电连接相邻的发光单元而形成发光单元的串联矩阵;
第一垫金属层,通过所述下部绝缘层的开口部与布置于所述串联矩阵的末端的最后一个发光单元的第一导电型半导体层电连接;
第二垫金属层,通过所述下部绝缘层的开口部与布置于所述串联矩阵的首端的第一发光单元的欧姆反射层电连接;
上部绝缘层,覆盖所述连接部、所述第一垫金属层及第二垫金属层,并且具有使所述第一垫金属层及第二垫金属层的上表面分别暴露的开口部;以及
第一凸起垫和第二凸起垫,分别连接于通过所述上部绝缘层的开口部暴露的所述第一垫金属层及第二垫金属层的上表面,
其中,所述第一凸起垫及第二凸起垫具有靠近基板侧的第一凸起垫外侧部及第二凸起垫外侧部,
所述多个连接部相比于所述第一凸起垫外侧部及第二凸起垫外侧部位于更内侧。
2.如权利要求1所述的发光二极管,其中,
所述第一垫金属层限定布置于所述最后一个发光单元的上部区域内,所述第二垫金属层限定布置于所述第一发光单元的上部区域内。
3.如权利要求2所述的发光二极管,其中,
所述第二垫金属层被连接部包围。
4.如权利要求1所述的发光二极管,其中,
所述连接部、所述第一垫金属层及第二垫金属层利用同一种材料形成而位于同一水平位置。
5.如权利要求1所述的发光二极管,其中,
使所述欧姆反射层暴露的所述下部绝缘层的开口部与使所述第二垫金属层暴露的所述上部绝缘层的开口部在横方向上隔开而互不重叠。
6.如权利要求1所述的发光二极管,其中,
至少一个发光单元具有贯通所述第二导电型半导体层及活性层而使所述第一导电型半导体层暴露的贯通孔。
7.如权利要求6所述的发光二极管,其中,
所述连接部通过所述贯通孔电连接于所述发光单元的第一导电型半导体层。
8.如权利要求1所述的发光二极管,其中,
所述上部绝缘层覆盖所述基板的边缘部位与所述发光单元之间的区域,并且从所述上部绝缘层的边缘部位到所述连接部之间的距离为15μm以上。
9.如权利要求1所述的发光二极管,其中,
所述连接部直接接触于通过所述下部绝缘层的开口部暴露的第一导电型半导体层及欧姆反射层。
10.如权利要求9所述的发光二极管,其中,
所述连接部在所述发光单元的边缘部位附近接触于所述第一导电型半导体层。
11.如权利要求1所述的发光二极管,其中,
各个发光单元的至少一部分与所述第一凸起垫及第二凸起垫中的至少一个的一部分重叠,
各个发光单元的第一导电型半导体层及第二导电型半导体层与所述第一凸起垫及第二凸起垫中的重叠于该发光单元的凸起垫之间的电位差为5Vf以下,在此,Vf是施加于所述第一凸起垫与所述第二凸起垫之间的正向电压除以发光单元的数量而得到的值。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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