[发明专利]一种低工作电压高稳定性基准电压源有效
申请号: | 201911345294.0 | 申请日: | 2019-12-24 |
公开(公告)号: | CN110928354B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
发明(设计)人: | 邵珠雷;张翼;张军利 | 申请(专利权)人: | 许昌学院 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 深圳众邦专利代理有限公司 44545 | 代理人: | 崔亚军 |
地址: | 461000 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 工作 电压 稳定性 基准 | ||
1.一种低工作电压高稳定性基准电压源,其特征在于,其包括偏置电路、抗噪声电路和基准电压产生电路;
偏置电路产生稳定精准的偏置电流,使基准电压产生电路中的MOS管工作于零温度系数点;
抗噪声电路通过电压补偿的方式消除电路噪声对输出端基准电压的影响;
基准电压产生电路通过工作于零温度系数点的MOS管产生不受温度变化影响的基准电压并输出;
偏置电路包括MOS管M1至M11,电容C1,电容C2,电阻R1;
MOS管M1的源极连接电源VDD,MOS管M1的栅极连接MOS管M3的栅极,MOS管M1的漏极连接MOS管M2的漏极;MOS管M2的漏极连接MOS管M1的栅极,MOS管M2的栅极连接MOS管M8的栅极,MOS管M2的源极接地;MOS管M3的漏极连接MOS管M4的栅极,MOS管M3的栅极连接MOS管M2的漏极,MOS管M3的源极连接MOS管M2的栅极;MOS管M4的源极连接电源VDD,MOS管M4的栅极连接MOS管M5的栅极,MOS管M4的漏极连接MOS管M8的漏极,MOS管M4的衬底接地;电容C1的上端连接MOS管M4漏极,电容C1的下端接地;MOS管M8的漏极连接MOS管M3的源极,MOS管M8的栅极连接MOS管M8的漏极,MOS管M8的源极接地,MOS管M8的衬底接地;MOS管M6的源极连接电源VDD,MOS管M6的栅极连接MOS管M6的漏极,MOS管M6的漏极连接MOS管M9的漏极,MOS管M6的衬底接地;MOS管M9的漏极连接MOS管M6的栅极,MOS管M9的栅极连接MOS管M11的栅极,MOS管M9的源极接地,MOS管M9的衬底接地;MOS管M7的源极连接电源VDD,MOS管M7的栅极连接MOS管M6的栅极,MOS管M7的漏极连接MOS管M10的漏极,MOS管M7的衬底接地;MOS管M10的漏极连接MOS管M7的漏极,MOS管M10的栅极连接MOS管M8的漏极,MOS管M10的源极接地,MOS管M10的衬底接地;电容C2的上端连接MOS管M7的漏极,电容C2的下端接地;MOS管M5的源极连接电源VDD,MOS管M5的栅极连接MOS管M4的栅极,MOS管M5 的漏极连接MOS管M11的漏极,MOS管M5的衬底接地;MOS管M11的漏极连接MOS管M5的漏极,MOS管M11的栅极连接MOS管M11的漏极,MOS管M11的衬底接地,MOS管M11的源极连接电阻R1的上端,电阻R1的下端接地;
抗噪声电路包括MOS管M12至M18,电阻R2;
MOS管M12的源极连接电源VDD,MOS管M12的栅极连接MOS管M13的漏极,MOS管M12的漏极连接MOS管M17的漏极,MOS管M12的衬底接地;MOS管M13的源极连接电源VDD,MOS管M13的栅极连接MOS管M12的漏极,MOS管M13的漏极连接MOS管M18的漏极,MOS管M13的衬底接地;MOS管M14的源极连接MOS管M13的漏极,MOS管M14的漏极连接MOS管M12的漏极,MOS管管M14的栅极连接MOS管M16的栅极;MOS管M15的栅极连接MOS管M12的漏极,MOS管M15的漏极连接MOS管M16的源极,MOS管M15源极连接MOS管M15的栅极;MOS管M16的栅极连接MOS管M15的栅极,MOS管M16的漏极连接MOS管M13的漏极,MOS管M16的源极连接电阻R2的下端,电阻R2的上端连接电源VDD;MOS管M17的漏极连接MOS管M15的源极,MOS管M17的栅极连接MOS管M17的漏极,MOS管M17的源极接地,MOS管M17的衬底接地;MOS管M18的漏极连接MOS管M16的漏极,MOS管M18的栅极连接MOS管M18的漏极,MOS管M18的源极接地,MOS管M18的衬底接地;
基准电压产生电路包括MOS管M19至M23、基准电压输出端口Vref;
MOS管M19的源极连接电源VDD,MOS管M19的栅极连接MOS管M5的栅极,MOS管M19的漏极连接MOS管M20的漏极;MOS管M20的漏极连接基准电压输出端口Vref,MOS管M20的栅极连接MOS管M20的漏极,MOS管M20的源极连接MOS管M21的漏极,MOS管M20的衬底连接基准电压输出端口Vref;MOS管M21的漏极连接MOS管M20的源极,MOS管M21的栅极连接MOS管M21的漏极,MOS管M21的源极连接MOS管M22的漏极,MOS管M21的衬底连接基准电压输出端口Vref;MOS管M22的漏极连接MOS管M21的源极,MOS管M22的栅极连接MOS管M22的漏极,MOS管M22的源极连接MOS管M23的漏极,MOS管M22的衬底连接基准电压输出端口Vref;MOS管M23的漏极连接MOS管M22的源极,MOS管M23的栅极连接MOS管M23的漏极,MOS管M23的源极接地,MOS管M23的衬底连接基准电压输出端口Vref。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于许昌学院,未经许昌学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911345294.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种打标设备
- 下一篇:盾构机可视化纠偏系统