[发明专利]一种lange电桥在审
申请号: | 201911344421.5 | 申请日: | 2019-12-23 |
公开(公告)号: | CN110911796A | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
发明(设计)人: | 姜文平 | 申请(专利权)人: | 成都众志天成科技有限公司 |
主分类号: | H01P5/12 | 分类号: | H01P5/12;H01P5/18 |
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地址: | 610097 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 lange 电桥 | ||
本发明提供一种lange电桥,包括微带基片,微带基片上刻蚀的微带线电路以及起跨接作用的若干条金丝线,微带线电路包括第一输入端口、第二输入端口、前级耦合部、过渡部、后级耦合部、第一输出端口和第二输出端口,前级耦合部依次包括第一耦合枝、第二耦合枝、前级转接枝、第三耦合枝和第四耦合枝,第一耦合枝和第四耦合枝分别通过金丝线与前级转接枝跨接,第二耦合枝的首端通过金丝线跨接第三耦合枝的末端,第二耦合枝的末端通过金丝线跨接第三耦合枝的首端,后级耦合部依次包括第五耦合枝、第六耦合枝、后级转接枝、第七耦合枝和第八耦合枝,本发明设计的lange电桥结构,解决了在采用低介电常数材料的基础上,难以实现3dB lange电桥的问题。
技术领域
本发明涉及通信无源器件技术领域,尤其涉及一种lange电桥。
背景技术
电桥常用于功率合成和功率分配,常用的电桥是用带状线系统实现的,在微带电路中不方便集成,而要实现微带平面的3dB电桥,lange电桥是很好的选择之一,通常的3dBLange电桥的都是利用高介电常数的材料设计实现,例如陶瓷材料,但是高介电常数材料的插入损耗都较大。而将常规材料如RT5880低介电常数材料用作lange电桥,虽可以减小插入损耗,但是由于耦合度不够,难以实现3dB耦合。
发明内容
本发明的目的在于:针对上述存在的问题,提供一种lange电桥,以解决采用低介电常数材料,lange电桥难以实现3dB耦合的问题。
本发明提供一种lange电桥,包括微带基片、微带基片上刻蚀的微带线电路以及起跨接作用的若干条金丝线,所述微带线电路包括第一输入端口、第二输入端口、前级耦合部、过渡部、后级耦合部、第一输出端口和第二输出端口,所述前级耦合部依次包括第一耦合枝、第二耦合枝、前级转接枝、第三耦合枝和第四耦合枝,所述第一耦合枝和第四耦合枝分别通过金丝线与所述前级转接枝跨接,所述第二耦合枝的首端通过金丝线跨接所述第三耦合枝的末端,所述第二耦合枝的末端通过金丝线跨接所述第三耦合枝的首端,所述前级转接枝用于所述第二输入端口与所述过渡部的转接;
所述后级耦合部依次包括第五耦合枝、第六耦合枝、后级转接枝、第七耦合枝和第八耦合枝,所述第五耦合枝和第八耦合枝分别通过金丝线与所述后级转接枝跨接,所述第六耦合枝的首端通过金丝线跨接所述第七耦合枝的末端,所述第六耦合枝的末端通过金丝线跨接所述第七耦合枝的首端,所述后级转接枝用于所述过渡部与所述第一输出端口的转接。
特别地,所述第一耦合枝、第四耦合枝、第五耦合枝、第八耦合枝为短枝且长度均为L1, 2.4mm≤L1≤2.8mm,所述第二耦合枝、第三耦合枝、第六耦合枝、第七耦合枝为长枝且长度均为L2,4.8mm≤L2≤5.4mm。
具体地,所述金丝线的数量为8条,所述微带基片的材料采用RT5880。
本发明的有益效果在于:
设计了一种新的lange电桥结构,并实现了3dB耦合,解决了在采用低介电常数材料的基础上,难以实现3dB lange电桥的问题。并且采用的微带平面结构,使得lange电桥的体积较小。
附图说明
图1是本发明的平面结构图;
图中,1-介质基片,IN1-第一输入端口,IN2-第二输入端口,OUT1-第一输出端口,OUT2-第二输出端口,2-前级耦合部,3-过渡部,4-后级耦合部,5-金丝线,21-第一耦合枝,22-第二耦合枝,2a-前级转接枝,23-第三耦合枝,24-第四耦合枝,41-第五耦合枝,42-第六耦合枝,4b-后级转接枝,43-第七耦合枝,44-第八耦合枝。
具体实施方式
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