[发明专利]一种探测二维材料晶界的方法在审
申请号: | 201911342818.0 | 申请日: | 2019-12-23 |
公开(公告)号: | CN113092463A | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 刘开辉;徐小志;邹定鑫;刘灿 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | G01N21/84 | 分类号: | G01N21/84;C23C16/44;C23C16/26;C23C16/34 |
代理公司: | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人: | 王欣 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 探测 二维 材料 方法 | ||
1.一种探测二维材料晶界的方法,其特征在于,将金属箔片上的二维材料在加热装置中缓慢加热,实现石墨烯中晶界的光学可视化。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述二维材料为石墨烯、或氮化硼。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,通过化学气相沉积法将二维材料生长在金属箔片上,或者通过转移方式将二维材料覆盖到金属箔片表面。
4.根据权利要求1-3任一项所述的方法,其特征在于,所述金属箔片为铜箔、或镍箔;优选的是,所述金属箔片为铜箔。
5.根据权利要求1-3任一项所述的方法,其特征在于,在如下气体氛围中进行加热:空气、含有氧气的混合气体、或含有氧气和水蒸气的混合气体。
6.根据权利要求1-3任一项所述的方法,其特征在于,在混合有保护性气体和氧气的混合气体中进行加热,其中氧气占混合气体的体积百分比为1%-99%,其余为保护性气体。
7.根据权利要求1-3任一项所述的方法,其特征在于,在混合有保护性气体、氧气和水蒸气的混合气体中进行加热,其中氧气占混合气体的体积百分比为1%-98%,水蒸气占混合气体的体积百分比为1%-98%,其余为保护性气体。
8.根据权利要求1-3任一项所述的方法,其特征在于,所述加热装置为热台、烤箱或CVD管式炉。
9.根据权利要求1-3任一项所述的方法,其特征在于,利用光学显微镜即可观测到二维材料中晶界。
10.根据权利要求1-3任一所述的方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:
(一)、将二维材料用化学气相沉积的方法生长在金属箔片表面;
(二)、将覆盖有二维材料的衬底于100℃~400℃在加热装置中缓慢加热,时间为1 ~400小时;
(三)、样品氧化后,用光学显微镜直接观察,即可看到二维材料的晶界。
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