[发明专利]半导体封装在审
申请号: | 201911341610.7 | 申请日: | 2019-12-23 |
公开(公告)号: | CN111696965A | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | 蔡宗哲;蔡宪洲 | 申请(专利权)人: | 蔡宪聪;蔡宪洲;蔡宪伟;蔡黄燕美 |
主分类号: | H01L23/60 | 分类号: | H01L23/60;H01L23/58;H01L25/07 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 晏波 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 | ||
1.一种半导体封装,包含:
一基板,在该基板的一顶表面上至少设置有一高频芯片,以及易受高频讯号干扰的一电路元件;
一第一接地环,在该基板的该顶表面上,环绕着该高频芯片;
一第一金属柱强化胶体墙,设在该第一接地环上,环绕着该高频芯片;
一第二接地环,在该基板的该顶表面上,环绕着该电路元件;
一第二金属柱强化胶体墙,设在该第二接地环上,环绕着该电路元件;
一成型模料,至少覆盖该高频芯片及该电路元件;以及
一导电层,设于该成型模料上,并且与该第一金属柱强化胶体墙及/或该第二金属柱强化胶体墙接触,其中该金属柱强化胶体墙、第二金属柱强化胶体墙和导电层中的至少一个包括磁性或可磁化填充物,以构成主动电磁兼容屏蔽。
2.如权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,该第一金属柱强化胶体墙包含复数个第一金属柱,其中各该复数个第一金属柱的一端固定在该第一接地环上,另一端则悬空,该复数个第一金属柱围绕着该高频芯片。
3.如权利要求2所述的半导体封装,其特征在于,该第二金属柱强化胶体墙包含复数个第二金属柱,其中各该复数个第二金属柱的一端固定在该第二接地环上,另一端则悬空,该复数个第二金属柱围绕着该电路元件。
4.如权利要求3所述的半导体封装,其特征在于,该第一金属柱强化胶体墙或该第二金属柱强化胶体墙另包含一胶体,附着在该第一或该第二金属柱的表面上。
5.如权利要求4所述的半导体封装,其特征在于,该胶体包含热固性树脂、热塑性树脂或UV固化树脂。
6.如权利要求4所述的半导体封装,其特征在于,该胶体系为一导电胶。
7.如权利要求4所述的半导体封装,其特征在于,该胶体包含有导电颗粒。
8.如权利要求7所述的半导体封装,其特征在于,该导电颗粒包含铜、银、金、铝、镍、钯、其任何组合或合金、石墨烯。
9.如权利要求7所述的半导体封装,其特征在于,该成型模料的组成与该胶体的组成不同。
10.如权利要求3所述的半导体封装,其特征在于,该成型模料的上表面与该第一及该第二金属柱强化胶体墙的顶面是齐平的。
11.如权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,该磁性或可磁化填充物包含黏结的钕铁硼(NdFeB)磁体。
12.一种半导体封装,包含:
一基板,在该基板的一顶表面上至少设置有一半导体芯片;
一接地环,在该基板的该顶表面上,环绕着该半导体芯片;
一金属柱强化胶体墙,设在该接地环上,环绕着该半导体芯片,其中该金属柱强化胶体墙包含磁性或可磁化填充物,构成主动电磁兼容屏蔽;以及
一成型模料,仅仅设置在该金属柱强化胶体墙围绕的范围内,并覆盖该半导体芯片。
13.如权利要求12所述的半导体封装,其特征在于,该金属柱强化胶体墙包含复数个金属柱,其中各该复数个金属柱的一端固定在该接地环上,另一端则悬空,该复数个金属柱围绕着该半导体芯片。
14.如权利要求12所述的半导体封装,其特征在于,该金属柱强化胶体墙另包含一胶体,附着在该金属柱的表面上。
15.如申请专利范围第14项所述的半导体封装,其特征在于,中该胶体包含热固性树脂、热塑性树脂或UV固化树脂。
16.如权利要求14所述的半导体封装,其特征在于,该胶体系为一导电胶。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于蔡宪聪;蔡宪洲;蔡宪伟;蔡黄燕美,未经蔡宪聪;蔡宪洲;蔡宪伟;蔡黄燕美许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911341610.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有封装内隔室屏蔽的半导体封装
- 下一篇:茶叶变压真空干燥提香装置及方法