[发明专利]具有封装内隔室屏蔽的半导体封装在审
申请号: | 201911341322.1 | 申请日: | 2019-12-23 |
公开(公告)号: | CN111696964A | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | 蔡宗哲;蔡宪洲 | 申请(专利权)人: | 蔡宪聪;蔡宪洲;蔡宪伟;蔡黄燕美 |
主分类号: | H01L23/60 | 分类号: | H01L23/60;H01L23/58;H01L25/07 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 张婷 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 封装 内隔室 屏蔽 半导体 | ||
1.一种具有封装内隔室屏蔽的半导体封装,包含:
一基板,在该基板的一顶表面上至少设置有一高频芯片,以及易受高频讯号干扰的一电路元件;
一第一接地环,在该基板的该顶表面上,环绕着该高频芯片;
一第一金属柱强化胶体墙,设在该第一接地环上,环绕着该高频芯片;
一第二接地环,在该基板的该顶表面上,环绕着该电路元件;
一第二金属柱强化胶体墙,设在该第二接地环上,环绕着该电路元件;
复数个模流通道,设于该第一金属柱强化胶体墙及该第二金属柱强化胶体墙中;以及
一成型模料,至少覆盖该高频芯片及该电路元件。
2.如权利要求1所述的具有封装内隔室屏蔽的半导体封装,其特征在于,另包含:
一导热层,设置在该成型模料上并与该第一金属柱强化胶体墙和/或第二第一金属柱强化胶体墙接触。
3.如权利要求2所述的具有封装内隔室屏蔽的半导体封装,其特征在于,另包含:
一散热器,安装在该导热层上。
4.如权利要求2所述的具有封装内隔室屏蔽的半导体封装,其特征在于,该导热层包含锡膏。
5.如权利要求1所述的具有封装内隔室屏蔽的半导体封装,其特征在于,该第一金属柱强化胶体墙包含复数个第一金属柱,其中,各该第一金属柱的一端固定在该第一接地环上,另一端悬置,且该复数个第一金属柱包围该高频芯片。
6.如权利要求5所述的具有封装内隔室屏蔽的半导体封装,其特征在于,该第二金属柱强化胶体墙包含复数个第二金属柱,其中,各该第二金属柱的一端固定在该第二接地环上,另一端悬置,且该复数个第二金属柱包围该电路元件。
7.如权利要求6所述的具有封装内隔室屏蔽的半导体封装,其特征在于,该第一金属柱强化胶体墙或第二金属柱强化胶体墙还包含附着到该第一或第二金属柱的表面的胶体。
8.如权利要求7所述的具有封装内隔室屏蔽的半导体封装,其特征在于,该胶体以局部液滴形式悬挂在该第一或第二金属柱上。
9.如权利要求7所述的具有封装内隔室屏蔽的半导体封装,其特征在于,该胶体包含热固性树脂、热塑性树脂或紫外线(UV)固化树脂。
10.如权利要求7所述的具有封装内隔室屏蔽的半导体封装,其特征在于,该胶体包括导电胶。
11.如权利要求7所述的具有封装内隔室屏蔽的半导体封装,其特征在于,该胶体包括导电颗粒。
12.如权利要求11所述的具有封装内隔室屏蔽的半导体封装,其特征在于,该成型模料的组成不同于该胶体的组成。
13.如权利要求6所述的具有封装内隔室屏蔽的半导体封装,其特征在于,该成型模料的顶表面与该第一金属柱强化胶体墙的顶表面和第二金属柱强化胶体墙的顶表面齐平。
14.如权利要求1所述的具有封装内隔室屏蔽的半导体封装,其特征在于,该接地环是不连续的环形接地环,并电连接到该基板中的接地面。
15.一种半导体封装,包括:
一基板,其具有至少一半导体芯片设置于该基板的一顶面上;
一接地环,在该基板的顶面上围绕该半导体芯片;
一金属柱强化胶体墙,设置在该接地环上,围绕该半导体芯片;
复数个模流通道,在该金属柱强化胶体墙中;以及
一成型模料,模封该金属柱强化胶体墙和该半导体芯片。
16.如权利要求15所述的半导体封装,其特征在于,另包含:
一导热层,设置在该成型模料上并与该金属柱强化胶体墙接触。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于蔡宪聪;蔡宪洲;蔡宪伟;蔡黄燕美,未经蔡宪聪;蔡宪洲;蔡宪伟;蔡黄燕美许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911341322.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:双二阶前馈式主动抗噪系统及处理器
- 下一篇:半导体封装