[发明专利]一种干法转印光刻胶制备微纳结构的方法

权利要求书

1.一种干法转印光刻胶制备微纳结构的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、提供供体衬底和受体衬底，并清洗；

步骤二、供体衬底上旋涂光刻胶得到薄膜；

步骤三、在光刻胶上加工出所设计的图案；

步骤四、在加工出图案后的光刻胶上覆盖一层黏贴层；

步骤五、揭开黏贴层，同时黏贴层及图案化之后的光刻胶一起从供体衬底上剥离下来；

步骤六、把剥离下来的带有图案化光刻胶的黏贴层粘附于受体衬底上；

步骤七、把光刻胶释放于受体衬底上，同时撕走黏贴层，完成光刻胶的转移；

步骤八、以转移后的光刻胶为掩膜，对受体衬底进行镀功能材料薄膜；

步骤九、对镀膜后的样品进行lift-off以去除光刻胶及其上面的金属；

其中步骤五中，黏贴层和光刻胶间附着力大于光刻胶与供体衬底的附着力；步骤六中，光刻胶与受体衬底的附着力大于黏贴层和光刻胶间附着力，所述步骤七中释放的过程通过控制释放时环境的温度或者释放时剥离黏贴层的速度来实现黏贴层附着力大小的转换。

2.如权利要求1所述的干法转印光刻胶制备微纳结构的方法，其特征在于，供体衬底清洗后在供体衬底表面修饰光刻胶抗粘层降低供体衬底与光刻胶的粘附力。

3.如权利要求2所述的干法转印光刻胶制备微纳结构的方法，其特征在于，在供体衬底表面修饰光刻胶抗粘层为高温气体修饰法或抽真空气体修饰法；高温气体修饰法包括如下步骤：将供体衬底和光刻胶抗粘剂置于密闭空间中，其中，密闭空间的温度控制在60℃-800℃之间，保温1分钟以上，直接取出供体衬底；

所述抽真空气体修饰法包括如下步骤：将供体衬底和光刻胶抗粘剂置于密闭空间中，对密闭空间抽真空至光刻胶抗粘剂气化，保持1分钟以上，直接取出供体衬底。

4.如权利要求2所述的干法转印光刻胶制备微纳结构的方法，其特征在于，所述光刻胶抗粘层包括HMDS和十三氟正辛基硅烷；光刻胶抗粘层镀在衬底表面。

5.如权利要求1所述的干法转印光刻胶制备微纳结构的方法，其特征在于，所述供体衬底为硅、氧化硅、石英、玻璃、氮化硅、碳化硅、铌酸锂、金刚石、蓝宝石或ITO制成。

6.如权利要求2所述的干法转印光刻胶制备微纳结构的方法，其特征在于，所述光刻胶为PMMA、ZEP、瑞红胶、AZ胶、纳米压印胶或光固化胶；光刻胶厚度为1nm-100mm。

7.如权利要求1所述的干法转印光刻胶制备微纳结构的方法，其特征在于，所述步骤三中，加工出所设计的图案的方法为电子束曝光，离子束曝光，聚焦离子束曝光，重离子曝光，X射线曝光，等离子体刻蚀，紫外光刻，极紫外光刻，激光直写或纳米压印。

8.如权利要求1所述的干法转印光刻胶制备微纳结构的方法，其特征在于，所述功能材料为金属或非金属；所述金属为纯金属或合金；纯金属为金、银、铝、铜、铬、钛或镍；

合金为镍铬合金，碳化硅或氮化硅；非金属为氧化硅或半导体；所述半导体为硅或锗。

9.如权利要求1所述的干法转印光刻胶制备微纳结构的方法，其特征在于，所述黏贴层为PDMS、紫外固化胶、热释放胶、高温胶带、普通胶带、PVA、纤维素或AB胶。

10.如权利要求1-9任一所述的干法转印光刻胶制备微纳结构的方法制得的微纳结构，所述微纳结构用于微纳制造领域，光学领域，电学领域，生物领域，MEMS领域或NEMS领域。