[发明专利]一种防止产生污染物的零部件处理方法及等离子体处理装置

权利要求书

1.一种防止产生污染物的零部件处理方法，其特征在于，该方法包含下列步骤：

将所述零部件置于一真空反应腔；

将一硅晶圆置于所述真空反应腔内；

生成硅镀膜：向所述真空反应腔内通入处理气体，所述处理气体包含NH₃和Ar；向所述真空反应腔施加一射频信号，所述射频信号将所述处理气体激发为等离子体，所述等离子体与硅晶圆中的硅反应，生成硅镀膜沉积在所述零部件表面。

2.如权利要求1所述的防止产生污染物的零部件处理方法，其特征在于，所述的零部件表面设有用于防等离子腐蚀的保护层。

3.如权利要求2所述的防止产生污染物的零部件处理方法，其特征在于，所述的保护层为Y₂O₃涂层或Al₂O₃/SiC涂层。

4.如权利要求1所述的防止产生污染物的零部件处理方法，其特征在于，所述的零部件是指所述真空反应腔内与等离子体接触的部件，包含气体喷淋头、反应腔内壁、接地环、移动环、静电吸盘组件、覆盖环、聚焦环、绝缘环、衬底固持框中的至少一种。

5.如权利要求1所述的防止产生污染物的零部件处理方法，所述的零部件为进行了若干次有机层刻蚀工艺后的零部件。

6.如权利要求1所述的防止产生污染物的零部件处理方法，其特征在于，在将硅晶圆置于所述真空反应腔内之前，对置于所述真空反应腔内的所述零部件进行预清洗处理，所述的清洗预处理包含高偏压清洗处理。

7.如权利要求6所述的防止产生污染物的零部件处理方法，其特征在于，所述的高偏压清洗处理的工艺气体为O₂/CF₄/Ar。

8.如权利要求1所述的防止产生污染物的零部件处理方法，其特征在于，在生成硅镀膜后，还根据需要进行高偏压清洗步骤，用于祛除零部件表面的硅镀膜，实现对硅镀膜厚度的有效控制。

9.如权利要求8所述的防止产生污染物的零部件处理方法，其特征在于，该高偏压清洗步骤和生成硅镀膜步骤周期性地进行。

10.如权利要求1所述的防止产生污染物的零部件处理方法，其特征在于，在生成硅镀膜步骤中，所述的射频信号激发下，NH₃产生的氢自由基与硅晶圆中的硅发生反应，生成氢化硅，所述氢化硅在Ar离子的轰击下沉积在所述零部件表面，形成所述的硅镀膜。

11.如权利要求1所述的防止产生污染物的零部件处理方法，其特征在于，所述的处理气体还包含CH₄。

12.如权利要求11所述的防止产生污染物的零部件处理方法，其特征在于，所述的等离子处理的工艺条件为：压力范围为20Mt～100Mt；射频频率范围为25～60mhz；混合气体流量为：NH₃的流量范围为100sccm～1000sccm，Ar的流量范围为200～1000sccm，CH₄的流量范围为0～100sccm。

13.如权利要求1所述的防止产生污染物的零部件处理方法，其特征在于，所述的射频采用连续模式或脉冲模式。

14.如权利要求1所述的防止产生污染物的零部件处理方法，其特征在于，所述的硅镀膜厚度为10nm-50nm。