[发明专利]含有端基醛基的一类有机功能材料的存储性能有效
| 申请号： | 201911338851.6 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN110964052B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 南京和颂材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C07F7/18 | 分类号： | C07F7/18;C07F7/12;H01L51/05;H01L51/10 |
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| 地址： | 211500 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 含有 端基醛基 一类 有机 功能 材料 存储 性能 | ||
1.一种非易失性有机场效应晶体管存储器，其特征在于，器件结构为SiO2/Si/电荷存储层/50 nm的并五苯pentacene/50 nm的Au；所述电荷存储层为一类含有端基醛基的有机功能材料，化学结构式为：，其中n = 1-16；键合基团R = Si(OCH3)3, Si(OC2H5)3或者SiCl3。
2.一类含有端基醛基的有机功能材料在SiO2表面形成电荷存储层的方法，其特征在于：衬底清洗：SiO2/Si衬底依次在丙酮、乙醇、去离子水中超声，在烘箱里80-120 ℃干燥，然后用氧等离子体处理10-30 min；自组装：将SiO2/Si浸泡到所述有机功能材料的无水甲苯溶液里，在60-100 ℃下自组装48-60 h；从溶液中取出，用甲苯充分冲洗，转移到烘箱里，在90-110℃维持10-40 min；所述一种含有端基醛基的有机功能材料，化学结构式为：，其中n = 1-16；键合基团R = Si(OCH3)3, Si(OC2H5)3或者SiCl3。
3.一类含有端基醛基的有机功能材料在非易失性有机场效应晶体管存储器中的应用，其特征在于：将权利要求2制备的带有电荷存储层的衬底放入真空蒸镀室，在高真空下，依次蒸镀50 nm有机半导体材料并五苯pentance、源、漏电极各50 nm Au，晶体管沟道的长和宽分别为100 μm与2000 μm，构建结构为SiO2/Si/电荷存储层/pentacene/Au的场效应晶体管存储器。
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