[发明专利]一种基于二极管实现的芯片级联电路有效
申请号: | 201911338629.6 | 申请日: | 2019-12-23 |
公开(公告)号: | CN111146515B | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 李世彬;顾鹏展;蒲熙;朱子诚 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01M10/42 | 分类号: | H01M10/42 |
代理公司: | 成都其高专利代理事务所(特殊普通合伙) 51244 | 代理人: | 廖曾 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 二极管 实现 芯片 级联 电路 | ||
本发明公开了一种基于二极管实现的芯片级联电路,设置在锂电池保护芯片内,包括电压控制电路、模拟器件模块与反相器模块,电压控制电路连接模拟器件模块,模拟器件模块连接反相器模块,所述电压控制电路和模拟器件模块上皆形成有锂电池保护芯片的外部端口,所述反相器模块上形成有锂电池保护芯片的内部端口;锂电池保护芯片的设计之初,加入级联功能模块(芯片级联电路),可以在提高锂电池保护芯片利用率的同时,增强锂电池保护芯片的可用性。
技术领域
本发明涉及电池管理技术等领域,具体的说,是一种基于二极管实现的芯片级联电路。
背景技术
当今,随着新能源的兴起,锂电池的应用日益广泛。为了锂电池使用的安全,锂电池保护类芯片应运而生。目前的锂电池保护类芯片,根据受保护电池组的数量,可以分为单节锂电池保护类芯片和多节锂电池保护类芯片。随着电池组的组成电池节数越来越多,芯片可保护电池的数量,成为了受关注的焦点。锂电池保护类芯片的级联功能,在一定程度上,可以很好的解决这一问题。
发明内容
本发明的目的在于设计出一种基于二极管实现的芯片级联电路,在锂电池保护芯片的设计之初,加入级联功能模块(芯片级联电路),可以在提高锂电池保护芯片利用率的同时,增强锂电池保护芯片的可用性。
本发明通过下述技术方案实现:一种基于二极管实现的芯片级联电路,设置在锂电池保护芯片内,包括电压控制电路、模拟器件模块与反相器模块,电压控制电路连接模拟器件模块,模拟器件模块连接反相器模块,所述电压控制电路和模拟器件模块上皆形成有锂电池保护芯片的外部端口,所述反相器模块上形成有锂电池保护芯片的内部端口,在锂电池保护芯片的内部端口连接有锂电池保护芯片内部的逻辑控制模块;芯片级联电路在进行级联时逻辑控制模块连接锂电池保护芯片的控制端口CDC和控制端口DDC,且在具体应用时,一块锂电池保护芯片内设置有两个芯片级联电路,其中一个用作充电监视,另一个用作放电监视。
进一步的为更好地实现本发明,特别采用下述设置方式:所述电压控制电路包括二极管D101、二极管D100、电阻R103,二极管D101的第一端与模拟器件模块相连接,二极管D101的第二端通过电阻R103连接二极管D100的第一端,二极管D100的第二端形成锂电池保护芯片的CC/DC外部端口,且二极管D100的第二端与模拟器件模块相连接,所述二极管D101的第二端形成锂电池保护芯片的Vcc外部端口,电阻R103起到了保护锂电池保护芯片内部电路的作用,防止器件因工作电压过高而损毁。
进一步的为更好地实现本发明,特别采用下述设置方式:在所述二极管D100的第二端上还连接有电阻R102,且电阻R102的另一端为锂电池保护芯片的CC/DC外部端口,电阻R102起到了保护锂电池保护芯片内部电路的作用,防止器件因工作电压过高而损毁。
进一步的为更好地实现本发明,特别采用下述设置方式:所述二极管D101采用齐纳二极管,所述二极管D100采用普通二极管,且二极管D101的负极和二极管D100的负极皆与电阻R103连接,二极管D101采用齐纳二极管以应对本体的钳位电压。
进一步的为更好地实现本发明,特别采用下述设置方式:所述模拟器件模块包括MOS管Q108、MOS管Q107、MOS管Q109及MOS管Q110,在MOS管Q108的栅极上连接有电阻R105形成锂电池保护芯片的Vdd外部端口,MOS管Q108的漏极连接二极管D101的第一端,且MOS管Q108的漏极通过电阻R104连接MOS管Q107的栅极,MOS管Q107的漏极连接二极管D100的第二端,MOS管Q107的源极分别与MOS管Q110的栅极和MOS管Q109的漏极相连接,MOS管Q109的栅极上连接有电阻R106,且电阻R106的另一端连接锂电池保护芯片的Vdd外部端口,MOS管Q110的漏极与反相器模块相连接,MOS管Q110的源极形成锂电池保护芯片的GND外部端口;MOS管Q108、MOS管Q107、MOS管Q109及MOS管Q110可根据端口电压的大小,调整为普通管或者耐压管,以适应不同电压的工作环境。
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