[发明专利]一种MOF/纳米β-Ga2

权利要求书

1.一种MOF/纳米β-Ga₂O₃复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)氮气氛围下，依次将乙酰丙酮镓、月桂醇、油胺、油酸加入到十八烯中，室温下向混合液中鼓入氮气脱氧5-10min，先加热至120-140℃反应30-50min再继续加热至280-300℃反应15-30min，控制降温速度为10-15℃/min缓慢冷却至室温，加入乙酸乙酯超声振荡10min后离心，固体物丙酮超声振荡10min后离心，最后乙醇清洗烘干，得到纳米β-Ga₂O₃；

(2)将纳米β-Ga₂O₃、三水硝酸铜和1,4-萘二酸置于反应釜中，加入去离子水，搅拌混合均匀后，将反应釜放入微波反应器中，升温至160-180℃，反应30-50min，自然冷却至室温，放置20-30h，过滤，固体料水洗、DMF洗、乙醇洗后，40-60℃烘干，得到MOF/纳米β-Ga₂O₃复合晶体；

(3)将MOF/纳米β-Ga₂O₃复合晶体研磨后加入DMF/聚乙二醇体积比1:1的混合液中得到晶种液，将硅片预处理后烘干，用DMF蒸汽润湿，将抛光面浸入晶种液中5-10min取出，以一定速度升温至100℃保温5-10h取出，得到表面吸附有晶种层的硅片；

(4)将纳米β-Ga₂O₃、三水硝酸铜和1,4-萘二酸置于反应釜中，加入去离子水，搅拌混合均匀后，将上述硅片晶种层浸入反应液中，将反应釜放入微波反应器中，升温至130℃，反应30-50min，自然冷却至室温，放置20-50min，将硅片取出，DMF冲洗干燥后，刮取薄膜即可。

2.如权利要求1所述的MOF/纳米β-Ga₂O₃复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中脱氧时氮气流速为3-8m/s。

3.如权利要求1所述的MOF/纳米β-Ga₂O₃复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中纳米β-Ga₂O₃与三水硝酸铜的物质的量比为1:20-50。

4.如权利要求1所述的MOF/纳米β-Ga₂O₃复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中微波反应的功率为200-400W。

5.如权利要求1所述的MOF/纳米β-Ga₂O₃复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中固体料水洗3次、DMF洗3次、乙醇洗3次。

6.如权利要求1所述的MOF/纳米β-Ga₂O₃复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中MOF/纳米β-Ga₂O₃复合晶体与DMF/聚乙二醇混合液的质量比为1:8-12。

7.如权利要求1所述的MOF/纳米β-Ga₂O₃复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中硅片预处理方法为：将硅片用一定浓度的氢氟酸浸泡5min后去离子水冲洗5min，再用去离子水浸泡10min。

8.如权利要求1所述的MOF/纳米β-Ga₂O₃复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中升温速度为1-5℃/min。

9.如权利要求1所述的MOF/纳米β-Ga₂O₃复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(4)中微波反应的功率为200W。

10.如权利要求1所述的MOF/纳米β-Ga₂O₃复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(4)中干燥温度≤40℃。