[发明专利]一种可变编程次数的多次可编程存储器

说明书

本申请公开了一种可变编程次数的多次可编程存储器，所述可变编程次数的多次可编程存储器利用状态寄存器电路记录多个存储器阵列的状态信息，以使用户可以通过所述多个存储器阵列的状态信息，了解多个存储器阵列的编程次数信息以及冗余存储器阵列的使用信息，从而可以根据实际情况对冗余存储器阵列进行编程操作或修复操作或读操作的目的，使得冗余存储器阵列在主存储器阵列编程成功后仍然可以进行编程操作，进而使得该多次可编程存储器的编程次数可控，避免了在主存储器阵列编程成功后，无法在冗余存储器阵列中进行数据存储的情况，避免了冗余存储器阵列的浪费。

技术领域

本申请涉及存储器技术领域，更具体地说，涉及一种可变编程次数的多次可编程存储器。

背景技术

存储器芯片是现在信息技术中存储信息的一种重要方式。反熔丝技术是一种用于实现非易失性存储器的技术，使用反熔丝技术可以实现较小规模的非易失性数据存储器，实现的非易失性存储器具有掉电数据不丢失的特性，数据可以存储长达十几年的优良特性。反熔丝存储器是通过编程这一操作来实现数据写入，由于反熔丝的技术特性，对单个反熔丝存储器单元进行编程后将不能再擦除改变，即数据只能写入一次。存储单元在编程前和编程后具体不同的物理、电学特性，利用编程前后的不同电学特性即可实现二进制数据的存储。

多次可编程(Multiple Time Programmable，MTP)存储器具有多个存储器阵列，其中的主存储器阵列用于进行编程操作，其他的冗余存储器阵列用于提高多次可编程存储器的编程成品率。但在实际应用中发现，由于冗余存储器阵列在无需修复数据存储的情况下，无法进行数据存储，导致了冗余存储器阵列的浪费。

发明内容

为解决上述技术问题，本申请提供了一种可变编程次数的多次可编程存储器，以实现根据实际情况对冗余存储器阵列进行编程操作或修复操作或读操作的目的，避免了在主存储器阵列编程成功后，无法在冗余存储器阵列中进行数据存储的情况。

为实现上述技术目的，本申请实施例提供了如下技术方案：

一种可变编程次数的多次可编程存储器，包括：状态寄存器电路、外围电路和多个存储器阵列，其中，

所述多个存储器阵列包括一个主存储器阵列和至少一个冗余存储器阵列；所述主存储器阵列，用于在所述外围电路和所述状态寄存器电路的控制下进行编程操作或读操作；所述冗余存储器阵列，用于在所述外围电路和所述状态寄存器电路的控制下进行编程操作或修复操作或读操作；

所述状态寄存器电路，用于记录所述多个存储器阵列的状态信息，所述状态信息包括对所述多个存储器阵列的编程次数信息以及所述冗余存储器阵列的使用信息。

可选的，所述外围电路具体用于，根据获取的输入指令，接收字线地址信息和位线地址信息，确定操作类型并执行操作；

当所述操作类型为编程操作时，根据所述状态寄存器电路的值以及所述字线地址信息选中目标字线，根据所述位线地址信息选通目标位线，以根据待编程数据对目标的存储器阵列进行编程；

和用于在当所述操作类型为修复操作时，根据所述状态寄存器电路的值以及所述字线地址信息选中所述冗余存储器阵列的目标字线，目标字线上的存储单元的选通管打开，根据所述位线地址信息选通目标位线，且所述主存储器阵列的目标字线处于非选中状态，并根据待编程数据对所述冗余存储器阵列中的处于选中字线上的并连接到所述目标位线上的存储单元进行编程操作，在编程成功后，将所述冗余存储器阵列的目标字线取消选中，并取消所述目标位线的选通；