[发明专利]芯片封装结构及其形成方法

说明书

本申请的实施例提供一种芯片封装结构及其形成方法。此方法包含将芯片接合至第一基底的第一表面。此方法包含在第一基底的第二表面上形成虚设凸块。第一表面与第二表面相反，且虚设凸块与芯片电气绝缘。此方法包含切穿第一基底与虚设凸块以形成切割基底与切割虚设凸块。切割虚设凸块位于切割基底的角部之上，切割虚设凸块的第一侧壁与切割基底的第二侧壁大致上共平面，且切割虚设凸块的第三侧壁与切割基底的第四侧壁大致上共平面。

技术领域

本发明实施例涉及半导体装置及其形成方法，且特别关于芯片封装结构及其形成方法。

背景技术

半导体装置被使用于各种电子产品中，例如个人电脑、手机、数码相机以及其他电子设备。一般而言，在半导体基底上按序沉积绝缘或介电层、导电层以及半导体层，并且以光刻的方式将各材料层图案化以于其上形成电路组件及元件，借此制造半导体装置。

通常在半导体晶圆之上制造许多集成电路。可以在晶圆级(wafer level)加工与封装晶圆的晶粒，且已发展用于晶圆级封装的各种技术。

发明内容

本发明实施例包含一种芯片封装结构的形成方法。此方法包含将芯片接合至第一基底的第一表面、在第一基底的第二表面之上形成虚设凸块。第一表面与第二表面相反，且虚设凸块与芯片电气绝缘。此方法亦包含切穿第一基底与虚设凸块以形成切割基底与切割虚设凸块。切割虚设凸块位于切割基底的角部之上，切割虚设凸块的第一侧壁与切割基底的第二侧壁大致上共平面，且切割虚设凸块的第三侧壁与切割基底的第四侧壁大致上共平面。

本发明实施例亦包含一种芯片封装结构的形成方法。此方法包含将芯片接合至第一基底的第一表面、在第一基底的第二表面之上形成凸块与虚设凸块。第一表面与第二表面相反，凸块电性连接至芯片，且虚设凸块与芯片电气绝缘。此方法亦包含切穿第一基底与虚设凸块以形成切割基底与切割虚设凸块。切割虚设凸块位于切割基底的角部之上，切割虚设凸块的第一侧壁与切割基底的第二侧壁大致上共平面。此方法亦包含经由凸块与虚设凸块将切割基底接合至第二基底。

本发明实施例亦包含一种芯片封装结构。此芯片封装结构包含第一基底。第一基底具有第一表面以及与第一表面相反的第二表面。此芯片封装结构亦包含位于第一表面之上的芯片、位于第二表面之上的虚设凸块。虚设凸块与芯片电气绝缘，虚设凸块位于第一基底的角部之上，虚设凸块的第一侧壁与第一基底的第二侧壁大致上共平面，且虚设凸块的第三侧壁与第一基底的第四侧壁大致上共平面。

附图说明

通过以下的详细描述配合说明书附图，可以更加理解本发明实施例的内容。需强调的是，根据产业上的标准惯例，许多部件(feature)并未按照比例绘制且仅用于说明的目的。事实上，为了能清楚地讨论，各种部件的尺寸可能被任意地增加或减少。

根据一些实施例，图1A～1G是形成芯片封装结构的工艺的各阶段的剖面示意图。

根据一些实施例，图1D-1是图1D的芯片封装结构的俯视图。

根据一些实施例，图1E-1是图1E的芯片封装结构的俯视图。

根据一些实施例，图1E-2是沿着图1E-1中的剖面线II-II’示出芯片封装结构的剖面示意图。

根据一些实施例，图1F-1是图1F的芯片封装结构的俯视图。

根据一些实施例，图1F-2是沿着图1F-1中的剖面线II-II’示出芯片封装结构的剖面示意图。

根据一些实施例，图2是图1F的芯片封装结构的俯视图。

根据一些实施例，图3A、3B是形成芯片封装结构的工艺的各阶段的剖面示意图。

根据一些实施例，图3A-1是图3A的芯片封装结构的底视示意图。

附图标记说明：

10～晶种层；