[发明专利]薄膜层叠体、薄膜元件及层叠型基板有效
| 申请号: | 201911336734.6 | 申请日: | 2019-12-23 |
| 公开(公告)号: | CN111384229B | 公开(公告)日: | 2023-08-08 |
| 发明(设计)人: | 石井健太;七尾胜;佐久间仁志;野口隆男 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
| 主分类号: | H10N30/87 | 分类号: | H10N30/87;H10N30/50;H10N30/057 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;黄浩 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 薄膜 层叠 元件 型基板 | ||
1.一种薄膜层叠体,其特征在于,
具备:由金属构成的金属层和层叠于所述金属层的表面的薄膜,
第一方向被定义为与所述金属层的表面平行的一个方向,
第二方向被定义为与所述金属层的表面平行,且与所述第一方向交叉的一个方向,
所述金属层包含:
多个第一金属粒,其由所述金属构成,在所述金属层的表面上沿着所述第一方向延伸;以及
多个第二金属粒,其由所述金属构成,在所述金属层的表面上沿着所述第二方向延伸,
所述第一方向上的所述第一金属粒的宽度表示为L1,
与所述金属层的表面平行,且与所述第一方向垂直的方向上的所述第一金属粒的宽度表示为S1,
所述第二方向上的所述第二金属粒的宽度表示为L2,
与所述金属层的表面平行,且与所述第二方向垂直的方向上的所述第二金属粒的宽度表示为S2,
多个所述第一金属粒的L1/S1的平均值为1.5以上且20以下,
多个所述第二金属粒的L2/S2的平均值为1.5以上且20以下。
2.一种薄膜层叠体,其特征在于,
具备:由金属构成的金属层和层叠于所述金属层的表面的薄膜,
第一方向被定义为与所述金属层的表面平行的一个方向,
第二方向被定义为与所述金属层的表面平行,且与所述第一方向交叉的一个方向,
所述金属层包含:
多个第一金属粒,其由所述金属构成,在所述金属层的表面上沿着所述第一方向延伸;以及
多个第二金属粒,其由所述金属构成,在所述金属层的表面上沿着所述第二方向延伸,
所述第一金属粒为由所述金属构成的第一结晶,
所述第二金属粒为由所述金属构成的第二结晶,
至少一部分的所述第一结晶的(100)面在所述金属层的表面的法线方向上取向,
至少一部分的所述第二结晶的(100)面在所述金属层的表面的法线方向上取向。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜层叠体,其中,
所述金属层包含选自铂、铱、锇、铼、钯、钌、铑、钴、镍、金及银构成的组中的至少一种。
4.根据权利要求1或2所述的薄膜层叠体,其中,
所述薄膜包含电介质。
5.根据权利要求4所述的薄膜层叠体,其中,
所述电介质是选自由顺电体、压电体、热电体及铁电体构成的组中的一种。
6.根据权利要求4所述的薄膜层叠体,其中,
所述电介质为具有钙钛矿型结构的金属氧化物。
7.根据权利要求1或2所述的薄膜层叠体,其中,
所述薄膜为外延膜。
8.根据权利要求1或2所述的薄膜层叠体,其中,
所述金属层为第一电极层,
所述薄膜层叠体进一步具备层叠于所述薄膜的表面的第二电极层。
9.根据权利要求1或2所述的薄膜层叠体,其中,
所述第一方向和所述第二方向形成的角度为90°。
10.根据权利要求1或2所述的薄膜层叠体,其具备:
基板;
层叠于所述基板的表面的密合层;
层叠于所述密合层的表面的所述金属层;以及
层叠于所述金属层的表面的所述薄膜,
所述密合层包含氧化锆及稀土类元素的氧化物。
11.一种薄膜元件,其具备权利要求1或2所述的薄膜层叠体。
12.一种层叠型基板,其具备权利要求1或2所述的薄膜层叠体,
用于薄膜元件的制造。
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