[发明专利]基于忆阻器的三值数字逻辑门电路在审
| 申请号： | 201911335581.3 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN111046617A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 王晓媛;周鹏飞 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/32 | 分类号： | G06F30/32;H03K19/20 |
| 代理公司： | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 周希良 |
| 地址： | 310018 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 忆阻器 数字 逻辑 门电路 | ||
1.基于忆阻器的三值数字逻辑门电路，包括一个三值与门电路，一个三值或门电路和一个三值非门电路，并定义电压Vcc为2V，对应逻辑2；电压Vcc/2，为1V对应逻辑1；GND为0V，对应逻辑0，其特征在于：
三值与门电路由两个忆阻器构成；其中第一忆阻器M1负极作为第一输入端，接电压Vcc、电压Vcc/2或GND，第二忆阻器M2负极作为第二输入端，接电压Vcc、电压Vcc/2或GND；第一忆阻器M1的正极与第二忆阻器M2的正极相连，并作为输出端，三值与门电路逻辑就是求两输入端的最小值；
三值或门电路由两个忆阻器构成；其中第三忆阻器M3正极作为第一输入端，接电压Vcc、电压Vcc/2或GND，第四忆阻器M4正极作为第二输入端，接电压Vcc、电压Vcc/2或GND；第三忆阻器M3的负极与第四忆阻器M4的负极相连，并作为输出端，三值或门电路逻辑就是求两输入端的最大值；
三值非门电路由两个忆阻器和三个NMOS管构成；其中第五忆阻器M5的负极与电压Vcc相连接，第五忆阻器M5的正极与第一NMOS管N1的源极相连，并作为输出端；第一NMOS管N1的栅极与输入端相连，所述的输入端接电压Vcc、电压Vcc/2或GND；第一NMOS管N1的漏极与第六忆阻器M6的负极相连，第六忆阻器M6的正极与第二NMOS管N2的源极相连，第二NMOS管N2的栅极与输入端相连，第二NMOS管N2的漏极接地；第三NMOS管N3的源极与第六忆阻器M6的负极和第一NMOS管N1的漏极相连，第三NMOS管N3的栅极与输入端相连，第三NMOS管N3的漏极接地，其中第一NMOS管N1和第二NMOS管N2的阈值导通电压为0.5V，第三NMOS管N3的阈值导通电压为1.5V。
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