[发明专利]半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，包含：

半导体叠层，具有第一型半导体结构、活性结构以及第二型半导体结构设于该第一型半导体结构上，该第二型半导体结构具有一掺杂浓度；

第一部分，具有一部分的第一型半导体结构、活性结构及第二型半导体结构，且包含电流局限区域；及

第二部分，具有一部分的第一型半导体结构、活性结构及第二型半导体结构，且包含第一型重掺杂区域位于该第二型半导体结构中，该第一型重掺杂区域具有一掺杂浓度，其中，该第一型重掺杂区域的该掺杂浓度高于该第二型半导体结构的该掺杂浓度。

2.如权利要求1所述的半导体元件，还包含导电结构，连接该第一部分以及该第二部分且设于该第一型重掺杂区域上。

3.如权利要求1所述的半导体元件，还包含沟槽，位于第一部分及该第二部分之间。

4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一型重掺杂区域的该掺杂浓度大于或等于该第二型半导体结构的该掺杂浓度的一百倍。

5.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第二型半导体结构具有第一厚度，且该第一型重掺杂区域具有第二厚度小于该第一厚度。

6.如权利要求5所述的半导体元件，其中该第二厚度大于或等于一半的该第一厚度。

7.如权利要求1所述的半导体元件，其中该半导体叠层包含多个该第一部分。

8.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一型重掺杂区域包含相互分离的第一区域以及第二区域。

9.如权利要求8所述的半导体元件，还包含连接导电结构，电连接该第二区域以及该第二部分的该第一型半导体结构。

10.如权利要求9所述的半导体元件，其中该连接导电结构覆盖于该第二型半导体结构的侧表面。