[发明专利]一种基于二次谐波原位监测的扭曲异质结的制备装置及其方法在审
申请号: | 201911334666.X | 申请日: | 2019-12-23 |
公开(公告)号: | CN110957212A | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 雎长城;蒋尚池 | 申请(专利权)人: | 南京迈塔光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/428 |
代理公司: | 南京中盟科创知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32279 | 代理人: | 唐绍焜 |
地址: | 210093 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 二次 谐波 原位 监测 扭曲 异质结 制备 装置 及其 方法 | ||
1.一种基于二次谐波原位监测的扭曲异质结的制备装置,其特征在于:包括:
目标样品台(1),用于放目标样品的衬底,并根据扭曲角度需要转动目标样品;
转移样品台(2),用于将转移样品转移至目标样品台(1)的目标样品上方,并将转移样品贴合在目标样品上;
二次谐波信号激发光路,用于不同偏振方向的入射激光信号入射至目标样品或转移样品上,激发出相应的二次谐波信号;
二次谐波信号收集光路,用于收集入射激光信号激发的二次谐波信号,并传输至二次谐波信号探测器;
二次谐波信号探测器(8),用于对二次谐波信号收集光路收集的二次谐波信号进行探测得到相应偏振方向的入射激光信号的二次谐波信号强度。
2.根据权利要求1所述的制备装置,其特征在于:在所述目标样品台内设有加热装置,在所述目标样品台(1)上设有压覆有二维材料目标样品的衬底,在所述转移样品台(2)上设置有转移样品夹具(23),在所述转移样品夹具(23)的下底面贴有热释放胶,在所述热释放胶上压覆有通过手撕或CVD法制得的二维材料样品,所述热释放胶没有样品的那一侧贴在所述转移样品夹具的下底面。
3.根据权利要求1所述的制备装置,其特征在于:所述二次谐波信号激发光路为反射式光路,包括聚焦物镜(3)、第二分束器(4)、滤光片组(5)、第一分束器(6)、信号汇聚物镜(7)以及明场成像CCD(9);
在所述目标样品台(1)的上方设置所述聚焦物镜(3),在所述聚焦物镜(3)上方设置所述第二分束器(4),所述第二分束器(4)的安装角度为45°,在所述第二分束器(4)上方设置所述滤光片组(5),在所述滤光片组(5)上方设置所述第一分束器(6),所述第一分束器(6)的安装角度为45°,在所述第一分束器(6)上方设置所述信号汇聚物镜(7),在所述信号汇聚物镜(7)上方设置所述二次谐波信号探测器(8),所述信号汇聚物镜(7)的焦平面落在所述二次谐波信号探测器(8)的入口端口上,在所述第一分束器(6)的出口处设置有明场成像CCD(9)。
4.根据权利要求1所述的制备装置,其特征在于:所述二次谐波信号激发光路为投射式光路,包括激发信号聚焦物镜(31)、第三分束器(10)、明场成像CCD(9)、信号收集聚焦物镜(32)、滤光片组(5)以及信号汇聚透镜(7);
在所述目标样品台(1)上设有目标样品夹具(13),在所述目标样品夹具(13)上设有压覆有手撕或CVD二维材料样品的衬底;
所述激发信号聚焦物镜(31)设置在所述目标样品夹具(13)上衬底的正下方,在所述激发信号聚焦物镜(31)设有安装角度为45°的第三分束器(10),在所述第三分束器(10)的出口处设置所述明场成像CCD(9);所述信号收集聚焦物镜(32)设置在所述目标样品夹具(13)上衬底的正上方,在所述信号收集聚焦物镜(32)上方设置所述滤光片组(5),在所述滤光片组(5)上方设置所述信号汇聚物镜(7),在所述信号汇聚物镜(7)上方设置所述二次谐波信号探测器(8)。
5.根据权利要求1所述的制备装置,其特征在于:所述目标样品台(1)安装在目标样品旋转台(12)上,目标样品旋转台(12)安装在目标样品电动台(11)上;所述转移样品台包括转移样品电动台(21)及安装在所述转移样品电动台(21)上的转移样品旋转台(22)。
6.根据权利要求1所述的制备装置,其特征在于:所述目标样品台(1)上放置的衬底为SiO2/Si衬底、云母衬底、铜网衬底或蓝宝石衬底。
7.根据权利要求1所述的制备装置,其特征在于:所述热释放胶为PDMS、PC或PPC。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造