[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201911334529.6 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN110993559B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 李妍;辻直樹;汪韬 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述半导体器件的形成方法包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括依次堆叠的基底、第一介质层和第二介质层，所述基底、所述第一介质层和所述第二介质层中形成有浅沟槽隔离结构，所述基底包括分别位于所述浅沟槽隔离结构两侧的核心区和高压区；
形成保护层，所述保护层仅覆盖所述核心区的所述第二介质层；
在所述保护层的保护下，去除所述高压区的所述第二介质层和部分厚度的所述第一介质层，并且所述高压区剩余的所述第一介质层的厚度小于所述第二介质层的厚度；
在同一刻蚀步骤中同时去除所述高压区剩余的所述第一介质层、所述保护层以及所述核心区的所述第二介质层，暴露出所述高压区的所述基底以及所述核心区的所述第一介质层；
在暴露出的所述基底和所述第一介质层上形成栅氧层。
2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一介质层包括氧化层和位于所述氧化层上的硅材料层。
3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除所述高压区的部分所述第一介质层包括：去除所述高压区的所述硅材料层以及部分所述氧化层。
4.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二介质层的厚度小于或者等于所述氧化层的厚度。
5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述高压区剩余的所述第一介质层的厚度为1nm-20nm。
6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二介质层为氧化硅层。
7.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，通过干法刻蚀去除所述高压区的所述第二介质层和部分厚度的所述第一介质层。
8.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，通过湿法刻蚀去除所述高压区剩余的所述第一介质层、所述保护层以及所述核心区的所述第二介质层。
9.如权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀所采用的溶液为酸性溶液。
10.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护层为光刻胶层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
