[发明专利]硅片生产过程的控制系统有效
申请号: | 201911334090.7 | 申请日: | 2019-12-23 |
公开(公告)号: | CN110970530B | 公开(公告)日: | 2021-07-02 |
发明(设计)人: | 左国军;张浩;万红朝 | 申请(专利权)人: | 常州捷佳创精密机械有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/67 |
代理公司: | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人: | 汪海屏;刘潇 |
地址: | 213133 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 生产过程 控制系统 | ||
1.一种硅片生产过程的控制系统,其特征在于,包括:
硅片生产设备,适于生产硅片;
生产管理系统,与所述硅片生产设备信号连接,适于采集所述硅片的工艺数据,并为所述硅片分配身份信息;
控制装置,与所述硅片生产设备和所述生产管理系统分别信号连接,在所述硅片进入所述硅片生产设备时接收来自所述生产管理系统的所述身份信息,并在所述硅片离开所述硅片生产设备时将所述身份信息上传至所述生产管理系统,以使得所述工艺数据与所述身份信息相互关联;
在所述硅片进入所述硅片生产设备时,所述控制装置接收上料位置信息,根据所述上料位置信息获得预期下料位置信息,并将所述身份信息和所述预期下料位置信息相互关联;
在所述硅片离开所述硅片生产设备时,所述控制装置接收下料位置信息,并将所述下料位置信息和所述预期下料位置信息相互比较,以确定用于上传至所述生产管理系统的所述身份信息;
上料端传感装置,与所述控制装置信号连接,在所述硅片进入所述硅片生产设备时,向所述控制装置输出上料传感信号;
下料端传感装置,与所述控制装置信号连接,在所述硅片离开所述硅片生产设备时,向所述控制装置输出下料传感信号;
其中,当所述控制装置接收所述上料传感信号时,判定所述硅片进入所述硅片生产设备,当所述控制装置收到所述下料传感信号判定所述硅片离开所述硅片生产设备;
通过所述上料端传感装置和所述下料端传感装置与所述控制装置的配合,来获取所述硅片的上料时间以及下料时间。
2.根据权利要求1所述的硅片生产过程的控制系统,其特征在于,所述控制装置包括:
第一缓存区域,适于存储所述身份信息;
第二缓存区域,适于存储所述预期下料位置信息;
其中,所述身份信息在所述第一缓存区域中的存储位置与所述预期下料位置信息在所述第二缓存区域中的存储位置一致,以使得所述身份信息和所述预期下料位置信息相互关联。
3.根据权利要求2所述的硅片生产过程的控制系统,其特征在于,
第一硅片和第二硅片顺次进入所述硅片生产设备,所述第一硅片的所述身份信息存储于所述第一缓存区域中的第一位置,所述第二硅片的所述身份信息存储于所述第一缓存区域中的第二位置,其中,所述第一位置与所述第二位置相邻,并设于所述第二位置之后;和/或
第一硅片和第二硅片顺次进入所述硅片生产设备,所述第一硅片的所述预期下料位置信息存储于所述第二缓存区域中的第三位置,所述第二硅片的所述预期下料位置信息存储于所述第二缓存区域中的第四位置,其中,所述第三位置与所述第四位置相邻,并设于所述第四位置之后。
4.根据权利要求2所述的硅片生产过程的控制系统,其特征在于,
在所述控制装置将所述身份信息上传至所述生产管理系统后,清除所述硅片储存于所述第一缓存区域中的所述身份信息;和/或
在所述控制装置将所述身份信息上传至所述生产管理系统后,清除所述硅片储存于所述第二缓存区域中的预期下料位置信息。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的硅片生产过程的控制系统,其特征在于,还包括:
编码装置;
其中,所述上料位置信息和所述下料位置信息通过所述编码装置进行采集并输出。
6.根据权利要求5所述的硅片生产过程的控制系统,其特征在于,所述硅片生产设备包括:
上料端;
下料端;
工艺处理装置,设于所述上料端和所述下料端之间;
传动装置,适于移动,以使得所述硅片顺次经过所述上料端、所述工艺处理装置和所述下料端;
其中,所述编码装置与所述传动装置啮合,并跟随所述传动装置运行。
7.根据权利要求6所述的硅片生产过程的控制系统,其特征在于,
所述编码装置适于输出脉冲信号,以采集所述上料位置信息和所述下料位置信息,所述脉冲信号的频率与所述传动装置的移动速度相互匹配。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的硅片生产过程的控制系统,其特征在于,
所述硅片生产设备适于连续地生产所述硅片;
所述生产管理系统适于实时采集所述工艺数据,并为逐一为全部的所述硅片分配身份信息;
任一所述硅片的所述身份信息与所述工艺数据中的至少一部分相互关联。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的