[发明专利]一种发光二极管芯片制作方法及发光二极管芯片

权利要求书

1.发光二极管芯片，其特征在于，包括透镜(1)、固定件(2)、安装座(3)、芯片(4)、安装台(5)，所述安装台(5)固定连接在安装座(3)的上侧，芯片(4)固定连接在安装台(5)的上侧，所述固定件(2)套设在安装座(3)以及安装台(5)的外侧，所述透镜(1)设置在固定件(2)的内部，所述透镜(1)通过固定件(2)固定，所述安装台(5)的上侧填充有包裹芯片(4)的硅胶(7)，所述硅胶(7)的表面设置有荧光粉(8)，所述芯片(4)电连接有两个金线(6)，所述固定件(2)的外侧对称设置有两个引线框架(9)，两个所述金线(6)分别电连接两个引线框架(9)。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述安装台(5)和芯片(4)之间设置通过压焊产生的焊料固定连接。

3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述固定件(2)和安装座(3)均呈圆形结构，所述安装台(5)位于安装座(3)的上侧中部位置，所述固定件(2)采用塑料材质所制。

4.发光二极管芯片制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，清洗烘干：首先湿法清洗硅片，随后去离子水冲洗硅片，最后脱水烘焙硅片，通过热板烘干，温度控制在150～250C加热1～2分钟，并且氮气保护；

S2，涂底：采用气相成底膜的热板涂底，并且通过HMDS蒸气淀积，温度控制在200～250C,加工30秒钟；

S3，旋转涂胶：a、静态涂胶和动态涂胶；

S4，软烘：通过真空热板烘干，温度控制在85～120C加热30～60秒；

S5，边缘去除：软烘后，用PGMEA或EGMEA去边溶剂，喷出少量在正反面边缘出，并小心控制不要到达光刻胶有效区域；

S6，对准：预对准，通过硅片上的刻痕进行激光自动对准；

S7，曝光：接触式曝光法，接近式曝光法，投影式曝光法；

S8，后烘：通过热板烘干，温度控制在110～130C加热1分钟；

S9，显影：硅片浸没式显影法，连续喷雾显影法，水坑式显影法；

S10，硬烘：通过热板烘干，温度控制在100～130C加热1～2分钟；

S11，除氮化硅：用干法氧化法将氮化硅去除；

S12，离子注入：通过离子布植将硼离子透过SiO2膜注入衬底，形成P型阱，然后去除光刻胶放高温炉中进行退火处理，再用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷离子，形成N型阱，然后退火处理，再用HF去除SiO2层，然后采用干法氧化法生成一层SiO2层，然后LPCVD沉积一层氮化硅，再利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层，生长未有氮化硅保护的SiO2层，形成PN之间的隔离区；

S13，镀膜：通过热磷酸去除氮化硅，然后用HF溶液去除栅隔离层位置的SiO2，并重新生成品质更好的SiO2薄膜,作为栅极氧化层，然后LPCVD沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成SiO2保护层；

S14，剥离：表面涂敷光阻，去除P阱区的光阻，注入砷离子，形成NMOS的源漏极，用同样的方法，在N阱区，注入B离子形成PMOS的源漏极，然后利用PECVD沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理；

S15，切割封装：通过激光机切割硅片，随后进行封装处理，制造成芯片。

5.根据权利要求4所述的发光二极管芯片制作方法，其特征在于，所述静态涂胶包括滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂，所述动态涂胶包括低速旋转、滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂。

6.根据权利要求4所述的发光二极管芯片制作方法，其特征在于，所述接触式曝光法通过掩膜板直接与光刻胶层接触，所述接近式曝光法通过掩膜板与光刻胶层的略微分开，分开距离为10～50μm，所述投影式曝光发通过在掩膜板与光刻胶之间使用透镜聚集光实现曝光。