[发明专利]一种硅片的制备方法和一种硅片、一种电池片

说明书

本发明涉及一种硅片的制备方法和一种硅片、一种电池片。该制备方法包括以下步骤：S1、熔化硅料并进行长晶，得到预制硅锭，对预制硅锭进行第一次降温，降至1320‑1380℃，然后进行第一次保温，接着随炉冷却，得到硅锭；S2、将硅锭进行开方及切片，得到预制硅片；S3、对预制硅片进行分段退火处理，得到硅片。对预制硅锭的快速退火，且对快速退火后得到的硅锭制备硅片，并对硅片进行分段退火处理，能够有效降低位错密度，抑制位错增值，提高硅片的少子寿命，从而提高由该硅片制备得到的电池片的光电转换效率。

技术领域

本发明具体涉及一种硅片的制备方法和一种硅片、一种电池片。

背景技术

太阳能光伏行业发展的几十年中，多晶硅太阳能电池始终占据了市场的主流。然而铸造多晶硅体内存在着高密度的晶体缺陷, 例如位错、晶界等。位错具有高密度的悬挂键，具有电活性，可以直接作为复合中心，导致少子寿命或扩散长度降低；且位错对金属杂质原子有吸引钉扎作用而使之难于被电池工艺中磷吸杂等后续的过程去除，从而降低最终制备得到的电池片的电池转换效率。

发明内容

本发明的目的在于克服上述现有技术中存在的问题，提供一种硅片的制备方法和一种硅片、一种电池片，该方法能降低硅片的位错密度，提高硅片的少子寿命，进而提高由硅片制备得到的电池片的光电转换效率。

本发明的第一方面是提供一种硅片的制备方法，该制备方法包括以下步骤：

S1、熔化硅料并进行长晶，得到预制硅锭，对预制硅锭进行第一次降温，降至1320-1380℃，然后进行第一次保温，接着随炉冷却，得到硅锭；

S2、将硅锭进行开方及切片，得到预制硅片；

S3、对预制硅片进行分段退火处理，得到硅片。

优选地，所述第一次降温的降温速率为0.2-1℃/min；所述第一次保温的时间为60-120min。

优选地，所述分段退火处理包括：S31、对预制硅片进行升温至1320-1360℃，然后进行第二次保温；S32、第二次保温后，将预制硅片进行第二次降温，降至1150-1170℃，然后进行第三次保温；S33、将预制硅片进行第三次降温，降至900℃，然后随炉冷却。

优选地，所述升温的升温速率为5-8℃/min；所述第二次保温的时间为60-120min。

优选地，所述第二次降温的降温速率为3-7℃/min；所述第三次降温的降温速率为3-7℃/min；所述第三次保温的时间为60-120min。

优选地，所述开方的时间为550-600min，线速为12-15 m/s，抬速为1030-1050mm/min，硅锭尺寸为156.75mm×156.75mm×370mm；所述的切片时间为120-160min，线速0.03-0.08m/s，硅片尺寸为156.75mm×156.75mm×0.19mm。

本发明的第二方面是提供一种由前述方法制备得到的硅片。

本发明的第三方面是提供一种包括前述的硅片的电池片。

本发明通过对预制硅锭的快速退火，且对快速退火后得到的硅锭制备硅片，并对硅片进行分段退火处理，能够有效降低位错密度，抑制位错增值，从而提高硅片的少子寿命。

本发明的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

具体实施方式

在本文中所披露的范围的端点和任何值都不限于该精确的范围或值，这些范围或值应当理解为包含接近这些范围或值的值。对于数值范围来说，各个范围的端点值之间、各个范围的端点值和单独的点值之间，以及单独的点值之间可以彼此组合而得到一个或多个新的数值范围，这些数值范围应被视为在本文中具体公开。