[发明专利]一类含有端基酯基有机功能材料的存储性能有效
| 申请号： | 201911332471.1 | 申请日： | 2019-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN111129307B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 南京和颂材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;C07F7/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 211500 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一类 含有 端基酯基 有机 功能 材料 存储 性能 | ||
【权利要求书】：
1.一类具有存储性能的含有端基酯基的有机功能材料，其特征在于：材料的化学结构式为，其中n = 3-16；键合基团R = Si(OCH3)3, Si(OC2H5)3或者SiCl3。
2.根据权利要求1所述含有端基酯基的有机功能材料在SiO2表面形成电荷存储层的方法，其特征在于：SiO2/Si衬底依次在丙酮、乙醇、去离子水中超声，在烘箱里80-120 ℃干燥；用氧等离子体处理10-30 min；将处理好的SiO2/Si浸泡到含有端基酯基的有机功能材料的无水甲苯溶液里，在60-100 ℃下自组装48-60 h；从溶液中取出，用甲苯充分冲洗，转移到烘箱里，在110℃维持10-40 min；所用衬底是n型Si上厚度为300 nm的SiO2。
3.根据权利要求1所述含有端基酯基的有机功能材料在非易失性有机场效应晶体管存储器中的应用，其特征在于：将按照权利要求2描述方法制备的带有电荷存储层的衬底放入真空蒸镀室，在高真空下，依次蒸镀30-80 nm有机半导体材料并五苯pentance、源、漏Au电极各50 nm，晶体管沟道的长和宽分别为60-120 μm与1000-2000 μm，构建结构为SiO2/Si/电荷存储层/pentacene/Au的场效应晶体管存储器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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