[发明专利]晶圆湿制程设备用晶圆电镀装置在审
申请号: | 201911332462.2 | 申请日: | 2019-12-22 |
公开(公告)号: | CN110904484A | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
发明(设计)人: | 王振荣;刘红兵;卢鹏;方琴剑 | 申请(专利权)人: | 上海新阳半导体材料股份有限公司 |
主分类号: | C25D7/12 | 分类号: | C25D7/12;C25D5/02;C25D5/08;C25D17/02;C25D17/08;C25D21/00 |
代理公司: | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人: | 李强 |
地址: | 201616 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆湿制程设 备用 电镀 装置 | ||
本发明公开了一种晶圆湿制程设备用晶圆电镀装置,包括具有电镀用容腔的电镀槽壳体,所述电镀槽壳体内设有相邻且可拆换的晶圆挂具部及电镀扩散与屏蔽部,所述晶圆挂具部设有单面显露口用于显露出晶圆的电镀面一侧,所述电镀扩散与屏蔽部设有正对于所述单面显露口的多阶导流面。本发明所提供的晶圆湿制程设备用晶圆电镀装置,整体结构布置紧凑、内部结构精巧且功能全面,通过晶圆挂具部,可同时电镀多块晶圆,每块晶圆只镀一侧表面,通过电镀扩散与屏蔽部的多阶导流面可使得电镀液充分扩散,以保证电镀液均匀地电镀到晶圆上,达到厚度均匀的要求。
技术领域
本发明涉及一种晶圆湿制程设备用晶圆电镀装置。
背景技术
晶圆(Wafer)是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆。在制造时,需在晶圆上电镀一层导电金属,并对导电金属层进行加工以制成导电线路。在电镀过程中,需尽量使电镀液均匀分布在晶圆上,因而,需要一种高效的晶圆湿制程设备用晶圆电镀装置。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术中的不足,提供一种晶圆湿制程设备用晶圆电镀装置。
为实现以上目的,通过以下技术方案实现:
一种晶圆湿制程设备用晶圆电镀装置,包括具有电镀用容腔的电镀槽壳体,所述电镀槽壳体内设有相邻且可拆换的晶圆挂具部及电镀扩散与屏蔽部,所述晶圆挂具部设有单面显露口用于显露出晶圆的电镀面一侧,所述电镀扩散与屏蔽部设有正对于所述单面显露口的多阶导流面。
优选地,所述电镀槽壳体内设有电镀液管路及壳内支撑体,所述电镀液管路设于所述电镀槽壳体的底部,所述壳内支撑体设于所述电镀槽壳体的底部及两侧,所述晶圆挂具部及所述电镀扩散与屏蔽部安装于所述壳内支撑体上,进而所述电镀液管路由下而上向所述晶圆挂具部喷出电镀液。
优选地,所述电镀液管路上均匀排布有向上喷射的多个电镀液喷孔。
优选地,所述电镀槽壳体通过隔板分隔所述容腔进而形成中间主容腔及两侧次容腔,所述电镀液管路、所述晶圆挂具部及所述电镀扩散与屏蔽部均安装于所述中间主容腔内,所述电镀槽壳体的底部设有多个外接的进液管及排液管,所述进液管与所述电镀液管路连通,所述排液管与所述两侧次容腔连通。
优选地,所述隔板的上部开设有排液缝,所述中间主容腔通过所述排液缝与所述两侧次容腔相互导通。
优选地,所述壳内支撑体包括支撑底块以及支撑侧板,所述支撑底块跨设于所述电镀液管路之上,所述支撑侧板上设有支撑凸台,所述晶圆挂具部及所述电镀扩散与屏蔽部分别支设于所述支撑底块以及所述支撑凸台上进而位于所述电镀液管路的正上方。
优选地,所述隔板的底部设有安装卡口,所述支撑底块的两端分别卡设于所述安装卡口。
优选地,所述支撑侧板上设有沿高度方向延伸的插槽,所述插槽的底端紧挨于所述支撑凸台,所述晶圆挂具部的两侧分别可拆卸地插设于所述插槽内,进而所述单面显露口紧挨于所述电镀扩散与屏蔽部。
优选地,对应所述插槽的顶端设有插座,所述晶圆挂具部的两侧设有支臂,所述支臂插设于所述插座上;所述支撑底块上设有卡勾以供所述晶圆挂具部的底部边缘对应插设。
优选地,所述晶圆挂具部包括线路导电基板以及盖板基座,所述线路导电基板上分别开设有多个晶圆安装口,所述线路导电基板包括封盖面一侧以及电镀面一侧,所述盖板基座由所述封盖面一侧封盖于所述晶圆安装口进而于所述电镀面一侧形成所述单面显露口,所述晶圆安装于线路导电基板与盖板基座之间进而所述晶圆的电镀面一侧显露于晶圆安装口。
优选地,围绕每个所述晶圆安装口的四周设有安装口单元,所述安装口单元包括形成于所述封盖面一侧上的盖槽以供所述盖板基座适配卡设于所述盖槽,所述盖槽的四周连通有多个线槽以供安装导线。
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