[发明专利]一种低功耗快速起振晶振电路有效

专利信息
申请号: 201911331162.2 申请日: 2019-12-21
公开(公告)号: CN112311329B 公开(公告)日: 2023-08-25
发明(设计)人: 马淑彬;湛伟;丛伟林 申请(专利权)人: 成都华微电子科技股份有限公司
主分类号: H03B5/04 分类号: H03B5/04;H03B5/36
代理公司: 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 代理人: 刘勋
地址: 610041 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 功耗 快速 起振晶振 电路
【权利要求书】:

1.一种低功耗快速起振晶振电路,其特征在于,包括:跨导倍增电路、振荡器、启动电路、滤波电路、波形转换电路和占空比检测电路;其中,跨导倍增电路与振荡器的第一输入端连接,启动电路与振荡器的第二输入端连接,外部石英晶振输入与振荡器的第三输入端连接,振荡器的输出端分别与滤波电路和波形转换电路连接,滤波电路的输出端与波形转换电路连接,波形转换电路用于将振荡器输出的正弦波输出信号与滤波电路的输出信号相比较,并把输入的正弦波输出信号转化为方波信号,作为时钟输出信号输出,同时,该时钟输出信号通过占空比检测电路后输出使能控制信号至跨导倍增电路,以判断时钟输出信号是否稳定;

所述跨导倍增电路包括PMOS管mp3、mp12和NMOS管mn3、mn4、mn5、mn12,PMOS管mp12的源极连接PMOS管mp3的源极,PMOS管mp12的漏极连接PMOS管mp3的漏极,PMOS管mp12的栅极输入使能控制信号en,PMOS管mp3的栅极连接至振荡器器,NMOS管mn3的漏极分别连接PMOS管mp12的漏极和NMOS管mn4的漏极,NMOS管mn3的源极连接NMOS管mn12的源极,NMOS管mn3的栅极连接NMOS管mn5的源极,NMOS管mn12的漏极连接NMOS管mn5的源极,NMOS管mn12的栅极输入使能控制信号xen,NMOS管mn5的漏极连接至振荡器,NMOS管mn5的栅极连接NMOS管mn4的栅极,NMOS管mn4的源极连接至振荡器,NMOS管mn4的栅极输入使能控制信号en;

所述振荡器包括PMOS管mp1、mp2和NMOS管mn1、mn2以及电阻R1、电阻R2,其中,PMOS管mp1的栅极连接mp2的栅极,PMOS管mp1的源极分别连接跨导倍增电路中PMOS管mp3的源极和PMOS管mp2的源极,PMOS管mp1的漏极分别连接跨导倍增电路中mn4的源极、NMOS管mn1的漏极和电阻R2的一端,NMOS管mn1的栅极分别连接电阻R2的另一端和跨导倍增电路中NMOS管mn5的漏极,NMOS管mn1的源极分别连接至跨导倍增电路中NMOS管mn12的源极和电阻R1的一端,电阻R1的另一端连接NMOS管mn2的源极,NMOS管mn2的栅极输入电压Q1,NMOS管mn2的漏极连接PMOS管mp2的漏极,PMOS管mp2的栅极连接启动电路中NMOS管mn14的漏极,PMOS管mp2的源极连接启动电路中的电容C1;

所述启动电路包括NMOS管mn13、mn14和电容c1,其中,NMOS管mn13的栅极连接振荡器中NMOS管mn1的栅极,NMOS管mn13的源极分别连接NMOS管mn14的源极和振荡器中NMOS管mn1的源极,NMOS管mn13的漏极分别连接NMOS管mn14的栅极和电容C1的一端,电容C1的另一端连接振荡器中PMOS管mp2的源极,mn14的漏极连接振荡器中PMOS管mp2的栅极。

2.如权利要求1所述的低功耗快速起振晶振电路,其特征在于:所述滤波电路包括PMOS管mp4、mp6、mp7和NMOS管mn6、mn7以及电容c2,其中,PMOS管mp4的栅极连接波形转换电路,PMOS管mp4的源极连接振荡器中PMOS管mp2的源极,PMOS管mp4的漏极分别连接PMOS管mp6的源极和PMOS管mp7的源极,PMOS管mp6的栅极连接振荡器中NMOS管mn1的栅极,PMOS管mp6的漏极连接NMOS管mn6的漏极,NMOS管mn6的源极分别连接振荡器中NMOS管mn1的源极和NMOS管mn7的源极,NMOS管mn6的栅极连接NMOS管mn7的栅极,NMOS管mn7的漏极连接PMOS管mp7的漏极,PMOS管mp7的栅极连接电容C2的一端,电容C2的另一端连接NMOS管mn7的源极。

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