[发明专利]用于存储装置中的扩展性错误校正的方法和装置在审
| 申请号: | 201911329385.5 | 申请日: | 2019-12-20 |
| 公开(公告)号: | CN111382001A | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
| 发明(设计)人: | D·A·帕尔默 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
| 主分类号: | G06F11/10 | 分类号: | G06F11/10;G11C29/42 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
| 地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 存储 装置 中的 扩展性 错误 校正 方法 | ||
1.一种用于存储装置中的扩展性错误校正的存储器控制器,所述存储器控制器包括:
接口,其用以与所述存储装置通信;及
处理电路系统,其用以:
接收第一组数据,所述第一组数据具有对应逻辑地址和对应物理地址;
基于所述逻辑地址选择第二组数据;
从所述第一组数据和所述第二组数据计算次级错误校正数据,从所述第一组数据和第三组数据计算得到的初级错误校正数据与所述次级错误校正数据有区别,所述第三组数据是基于所述物理地址而选择;以及
基于所述逻辑地址,经由所述接口将所述次级错误校正数据写入到所述存储装置。
2.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中所述逻辑地址具有块分辨率,所述逻辑地址是逻辑块地址LBA。
3.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中,为基于所述逻辑地址选择所述第二组数据,所述处理电路系统经布置成随机选择所述存储装置的第二逻辑地址,所述第二逻辑地址不是所述逻辑地址。
4.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中,为基于所述逻辑地址选择所述第二组数据,所述处理电路系统经布置成在所述逻辑地址为偶数时选择所述存储装置的偶数逻辑地址,否则选择奇数逻辑地址。
5.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中,为基于所述逻辑地址选择所述第二组数据,所述处理电路系统经布置成选择所述存储装置的第二逻辑地址,所述第二逻辑地址是所述存储装置的写入宽度的模。
6.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中单一参数化公式用于次级错误校正码计算和初级错误校正码计算公式两者。
7.根据权利要求6所述的存储器控制器,其中所述单一参数化公式的参数指定错误校正数据的密度。
8.根据权利要求7所述的存储器控制器,其中所述参数针对所述次级错误校正数据所指定的错误校正数据密度低于针对所述初级错误校正数据所指定的密度。
9.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中所述处理电路系统经布置成:
基于所述逻辑地址选择第四组数据;
从所述第一组数据和所述第四组数据计算三级错误校正数据;以及
基于所述逻辑地址将所述三级错误校正数据写入到所述存储装置。
10.一种用于存储装置中的扩展性错误校正的方法,所述方法包括:
接收第一组数据,所述第一组数据具有对应逻辑地址和对应物理地址;
基于所述逻辑地址选择第二组数据;
从所述第一组数据和所述第二组数据计算次级错误校正数据,从所述第一组数据和第三组数据计算得到的初级错误校正数据与所述次级错误校正数据有区别,所述第三组数据是基于所述物理地址而选择;以及
基于所述逻辑地址将所述次级错误校正数据写入到所述存储装置。
11.根据权利要求10所述的方法,其中所述存储装置为NAND快闪装置。
12.根据权利要求10所述的方法,其中所述逻辑地址具有块分辨率,所述逻辑地址是逻辑块地址LBA。
13.根据权利要求10所述的方法,其中基于所述逻辑地址选择所述第二组数据包含随机选择所述存储装置的第二逻辑地址,所述第二逻辑地址不是所述逻辑地址。
14.根据权利要求10所述的方法,其中基于所述逻辑地址选择所述第二组数据包含在所述逻辑地址为偶数时选择所述存储装置的偶数逻辑地址,否则选择奇数逻辑地址。
15.根据权利要求10所述的方法,其中基于所述逻辑地址选择所述第二组数据包含选择所述存储装置的第二逻辑地址,所述第二逻辑地址是所述存储装置的写入宽度的模。
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